[據(jù)今日半導體網(wǎng)站2018年5月3日報道]市場分析公司ABI的研究數(shù)據(jù)顯示，2017年射頻功率半導體（<4 GHz&>3 W）的市場規(guī)模接近15億美元。無線基礎設施領域方面與往年持平，但在其他領域，特別是軍事、國防等領域，射頻功率半導體正在蓬勃發(fā)展。該公司補充說，氮化鎵（GaN）將長期被視為射頻功率半導體領域的中嶄新的“首選材料”，未來其將占據(jù)更大的市場份額。

“氮化鎵有望在2018年獲得一定的市場份額，并預計其在未來幾年內(nèi)將成為一種重要的趨勢”，Lance Wilson總監(jiān)指出。“氮化鎵彌補了砷化鎵和硅基LDMOS兩種老式技術之間的差距，在體現(xiàn)砷化鎵高頻性能的同時，結合了硅基LDMOS的功率處理能力”，他補充道，“目前，氮化鎵已經(jīng)是一項主流技術，并占有了一定市場，未來將占據(jù)更多的市場份額。”

無線基礎設施雖然占射頻功率半導體市場總銷售額的三分之二之多，但近年來增速趨于乏力。而無線基礎設施以外的其余部分在2018-2023年的預測期內(nèi)將呈現(xiàn)中速增長。

在國防領域以外的射頻功率半導體業(yè)務中，尤其是以商業(yè)航空電子和空中交通管制為代表的垂直市場，射頻功率半導體顯示出了最為強勁的上升勢頭，而Lance Wilson形容其為“一個極其重要的市場”。報告指出，雖然這些設備的生產(chǎn)商主要集中于工業(yè)化國家，但在現(xiàn)在這樣一個細化的全球化市場，終端設備買家可在全球任何地方購買到該類產(chǎn)品。

這些研究結果來自于ABI公司的射頻功率半導體市場數(shù)據(jù)報告以及相應的射頻功率半導體，包括：硅基、氮化鎵、砷化鎵等大功率射頻器件的協(xié)同對比說明。該報告是該公司5G和移動網(wǎng)絡基礎設施研究服務的一部分。（工業(yè)和信息化部電子第一研究所  宋文文）