2011年2月21日消息，美國英特爾在“Mobile World Congress 2011”（2011年2月14～17日，西班牙巴塞羅那）上，公布了利用硅CMOS技術制造功率放大器、LNA（低噪聲放大電路）以及RF開關等RF電路的研究成果。英特爾采用32nm工藝CMOS技術制造了RF電路，在會場上公開了使用該芯片進行通信的演示。英特爾表示該芯片還可用于移動通信。

　　英特爾的研究目的在于，將一般情況下由基帶處理器、RF收發(fā)器IC及前端模塊這3枚芯片組成的無線通信用電路整合為1枚芯片。此次的一大成果是，與英特爾目前正在供貨的個人電腦用微處理器一樣，利用了32nm的尖端工藝技術。“距離實現包括從應用處理器到前端模塊在內的無線通信用全方位SoC又近了一步”（英特爾）。預計此次的研究成果還可使用22nm工藝技術。

　　目前正處于試制各種無線通信方式的RF電路，驗證其工作情況的階段。實用化時間尚未確定。“如果頻帶不到60GHz，對通信方式沒有限制。還可用于移動通信方式等。不過，需要根據所需的傳輸電力來改變功率放大器的設計”（英特爾）。在此次的展示中，利用設想頻帶為2.3～2.8GHz時設計的芯片，進行了通過無線LAN的通信演示。