全球半導體設計制造軟件廠商新思科技(Synopsys)近日宣布，工業(yè)技術研究院(ITRI)已采用其TCAD Sentaurus模擬軟件以支持其在碳化硅(silicon carbide，SiC)半導體元件的研究開發(fā)。 TCAD Sentaurus具備有精確的建模(modeling)技術，讓工研院得以借由此技術對元件本身之電熱物理性質進行詳盡的模擬，以加速其碳化硅功率元件(power device)的開發(fā)。

碳化硅乃一種寬能隙(wide bandgap)的半導體，其卓越的電流電壓及高導熱特性適用于功率元件領域。 過去十年來，碳化硅肖特基二極體(SiC Schottky barrier diode)已廣泛為業(yè)界所利用，而針對油電混合車、智能電網(wǎng)(smart grid)及其他創(chuàng)新電力裝置應用之新一代碳化硅元件的開發(fā)也正積極展開中。 工研院目前正著手于各式功率元件的開發(fā)，以因應日漸提升的電氣汽車及太陽能電池陣列的市場需求。

工研院電光所副所長高明哲博士表示，由于汽車及能源配置等領域對于節(jié)能增效的電源開關之需求提升，使得碳化硅元件的市場發(fā)展蓬勃，而新思科技TCAD Sentaurus軟件可協(xié)助我們利用極務實的方式，進行元件電熱效能的模擬，而這樣的功能不但有助于我們了解新開發(fā)元件的性質，同時我們也利用它來達成元件特性的最佳化以滿足市場需求。

TCAD Sentaurus系列產(chǎn)品包含了探究和優(yōu)化硅晶(silicon)及化合物半導體(compound semiconductor)技術所需使用到的2D和3D制程以及元件模擬工具，該工具可執(zhí)行針對碳化硅模擬的模型。

新思科技資深副總裁暨硅晶工程事業(yè)群總經(jīng)理柯復華則表示:“電子產(chǎn)品應用日益復雜，新元件架構及材料也必須不斷地創(chuàng)新，而功率元件(power devices)就整體半導體市場而言是發(fā)展相當快速的領域，借由支持新元件的設計及達成最佳化，TCAD模擬技術可協(xié)助加速碳化硅的商用布署。身為半導體研發(fā)的領導者，工研院對于新思科技產(chǎn)品的采用不只肯定了新思TCAD模擬工具為碳化硅元件開發(fā)所帶來的價值。”