美國BAE系統公司宣布研發出新型通用射頻芯片，名為“可重置集成電路所需微波陣列技術”（MATRIC），是一個嵌入到靈活交換矩陣中的可重置射頻電路陣列。

組成模塊

BAE做出兩代MATRIC芯片，每代芯片都包含4個1-20GHz微波組成單元（MW）、4個直流到6GHz射頻/基帶組成單元（RF/BB），2個0.01-20GHz可配置頻率發生器（CFG）。芯片架構、版圖如下圖所示。

圖為芯片架構

圖為第一代芯片實物圖

圖為第二代芯片實物圖

工藝和性能參數

工作頻率直流到20GHz，采用塔爾捷智（TowerJazz）商用180nm SiGe-on-SOI BiCMOS工藝：
1、使用SiGe HBT以達到高線性度（>+10dBm IIP3），及產生低相位噪頻；
2、使用SOI FET以實現低損耗開關；
3、使用高電阻SOI襯底以實現高片上射頻隔離（>80dB@16GHz）；
4、還使用了差分信號和芯片級倒裝焊球（bump）封裝。

應用和意義

能夠替代專用集成電路（ASIC）幫助射頻系統適應多種頻率，具有ASIC的尺寸、重量和功耗（SWaP）優勢，但無需負擔研發ASIC所需的長周期和高一次性費用；能夠讓工程師更快地做出產品原型，研究成果也能更快地投入戰場使用。支持未來射頻子系統在飛行中的動態重新配置，能夠適應變化的電磁環境，解決通信、電子戰和信號情報系統未來需求。

BAE系統公司資深首席工程師Greg Flewelling說：“MATRIC是一個片上射頻工具盒，覆蓋廣泛的射頻頻率范圍，可滿足不同類型射頻系統的需求，尤其是需要寬頻譜感知、可適應動態和挑戰信號環境的那些射頻系統”。

資金支持

美國國防先期研究計劃局（DARPA）“自適應射頻技術”（ART）項目。

ART項目簡介

目標是通過開發一種新型全自適應、可重置、并不涉遵循特定波形的射頻架構，以顯著提升用于通信無線電的硬件性能。ART支持的“認知”無線電能夠在一系列環境和運行條件下進行重新配置，可以任何調制方式運行在任何頻段，滿足多種特殊通信。

ART項目將開發可重置射頻前端，能夠覆蓋10MHz及以下至30GHz及以上頻譜范圍，能夠識別、接收和/或發送該頻率范圍內超過100種軍用和商用波形。該項目尋求在一個封裝中實現該能力，該封裝要比現有硬件具備更小體積、輕質量和低功耗。它還尋求開發一個前端，科用于檢測和識別特定譜域波形的完整波形靈敏信道和模擬傳感信道。除了維持關鍵通信鏈路之外，ART還計劃為士兵和小型無人平臺配備緊湊、有力的信號感知和分析平臺，該平臺能夠表征信號環境，同時支持無線電平臺在新波形和變化的運營要求下的快速部署。

ART項目有四個研究領域，每個領域都聚焦一個自適應無線電的具體使能技術：

1、可在微波及以上頻段（30GHz及以上）工作的運算放大器；
2、可重置和可調諧射頻/微波和模擬傳感器濾波器陣列；
3、低功耗波形信號處理；
4、靈敏波形、可重置RF前端和模擬/混合信號元件。