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砷化銦可替代硅制造未來電子設備
美國物理學家組織網11月23日報道,美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的科學家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導體...
發布時間:2010-12-27關鍵詞:砷化銦
美國物理學家組織網11月23日報道,美國能源部勞倫斯伯克利國家實驗室和加州大學伯克利分校的科學家成功地將厚度僅為10納米的超薄半導體...
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