在Santa Clara, California的雷達(dá)和射頻（RF）模塊事業(yè)部主任Jerry Chang說：“在市場完全認(rèn)可了我們的超高頻 "單個晶體管，一千瓦"的器件--0405-1000M--之后，我們非常高興地在市場上又推出新的超高頻長脈沖調(diào)制、高占空比的500瓦晶體管”。

    “在Microsemi 射頻功率產(chǎn)品部門繼續(xù)開發(fā)具有最新水平的硅雙極結(jié)型射頻晶體管技術(shù)的同時，還對未來前沿應(yīng)用的寬禁帶技術(shù)進(jìn)行了大膽和積極進(jìn)取的投資，”他補(bǔ)充道。

    型號為0405-500L的雙極型晶體管設(shè)計用于400 ~ 450 MHz的UHF頻率范圍。這種型號的高性能、共發(fā)射極、C類、大功率晶體管提供500W峰值功率、 50%集電極效率的獨一無二的性能；器件采用完全密封的封裝，能給長脈沖調(diào)制雷達(dá)及遠(yuǎn)程雷達(dá)應(yīng)用提供最好的可靠性。

    Microsemi's 最新的射頻晶體管利用了一種新的芯片設(shè)計和工藝增強(qiáng)技術(shù)，提供具有最高水平的性能，特別是在指定的頻率范圍內(nèi)，脈沖為1.1 ms，占空比為26%的調(diào)制形式下，能提供大功率和高增益 。