新日本無線開發完成了設有旁通電路低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1135MD7，并開始發放樣品。該產品最適用于帶有CMOS RF-IC※1的800MHz/1900MHz頻段CDMA模式手機。

　　近年來，為了降低手機成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進步。以往的低噪聲放大器內置于RF-IC內，但是CMOS很難構成高性能的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。

　　因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1135MD7就是能滿足這種要求的設有旁通電路低噪聲放大器。用于800MHz/1900MHz頻段的 CDMA模式手機終端。

　　NJG1135MD7是由低噪聲放大電路・旁通電路・控制用邏輯電路來構成的。使用高性能HJ FET工藝，實現了高線形性(IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz)。

　　另外，為防止離基地局較近地區發生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設置了不經過放大電路的旁通模式(Low gain模式)，并且讓內置的低噪聲放大電路處于待機狀態，從而實現了低耗電流化。

　　NJG1135MD7采用超小超薄EQFN14-D7(1.6x1.6x0.397mm typ.) 封裝，節省了裝載電路板的空間的同時，又符合了無鉛無鹵化物標準，為減輕環境負荷做出了貢獻。

　　具有高線形特性・低消耗電流・節省空間特點的NJG1135MD7，實現了800MHz/1900MHz頻段CDMA用無線電路部RF-IC的CMOS化，并為手機低價格作出了貢獻。

※1 無線頻段信號處理IC

NJG1135MD7具有以下特征，最適用于800MHz/1900MHz頻段的CDMA模式手機。

1、具有高線形性，實現了IIP3 +10dBm typ.@ f=880MHz / IIP3 +8dBm typ.@ f=1960MHz (High gain模式時)
2、High gain mode和Low gain mode可切換。
3、Low Gain模式時，實現了30μA(typ.)的低消耗電流。
4、采用小型封裝，為節省空間作出了貢獻。
5、內置保護元件，用HBM(Human Body Model)方法，實現了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓

產品開發一覽


產品性能及特點概要

●低工作電壓+2.8V typ.
●低切換電壓     +1.8V min.
[high gain 模式]
●高輸入IP3+10dBm typ.@ f=880MHz
+8dBm typ.@ f=1960MHz
●高增益+16dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
●低噪聲指數1.4dB typ.@ f=880MHz / 1960MHz
[low gain 模式]
●低消耗電流30uA typ.
●高輸入IP3+19dBm typ.@ f=880MHz
+17dBm typ.@ f=1960MHz
●超小超薄封裝  EQFN14-D7  ( 1.6x1.6x0.397mm typ,無鉛無鹵化物)

生產計劃／樣品價格

　　新日本無線從2009年1月開始發放NJG1135MD7樣品，預計從2009年2月投產后月產30萬個。樣品價格為100日元。
以上