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隨著全球?qū)πl(wèi)星通信、衛(wèi)星電視、衛(wèi)星天氣預(yù)報及衛(wèi)星地理數(shù)據(jù)的需求不斷升溫，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出首款完全符合衛(wèi)星和運載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。
據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會報告顯示，全球衛(wèi)星市場正在穩(wěn)步增長，每年收入達(dá)1600多億美元[1]。雖然核心電子元器件產(chǎn)自于全球不同地區(qū)，包括歐洲和亞洲，但獲得宇航應(yīng)用認(rèn)證的器件主要來自美國。意法半導(dǎo)體與歐洲宇航局（ESA）和法國宇航研究中心（CNES）合作研發(fā)的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲宇航元器件協(xié)調(diào)委員會（ESCC）的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
意法半導(dǎo)體不僅擴(kuò)大了全球宇航質(zhì)量級元器件的貨源，還成功打破可能拖延項目工期或禁止使用某些器件和進(jìn)入某些市場采購限制。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Ian Wilson表示：“這款新的防輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品是根據(jù)宇航技術(shù)要求設(shè)計的，也是首款來自歐洲半導(dǎo)體廠商制造的宇航級元器件。”
全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P溝道器件的額定電流為34A。低柵電荷量是意法半導(dǎo)體STripFET制程的特性，可提升晶體管的開關(guān)性能，是直流功率模塊如電機(jī)控制器和線性穩(wěn)壓器、線路開關(guān)和電子限流熔斷器的理想選擇。
意法半導(dǎo)體宇航級功率MOSFET晶體管的主要特性：
·快速開關(guān)性能
·100%雪崩測試
·密封式封裝
·可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
·抗SEE輻射
STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市，達(dá)到EM（工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級標(biāo)準(zhǔn)，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達(dá)到了 ESCC 5205/021技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其它產(chǎn)品預(yù)計將于2011年下半年達(dá)到 ESCC 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)于宇航級半導(dǎo)體：
抗輻射是宇航元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽風(fēng)和太陽耀斑以及銀河宇宙射線。
當(dāng)被迫受到伽瑪射線和重離子輻射時，抗輻射或防輻射元器件能夠在這種環(huán)境長時間工作。MOSFET晶體管的抗輻射方法是，優(yōu)調(diào)產(chǎn)品設(shè)計和制程，提高耐輻射能力，最大限度減少重要參數(shù)因輻射而發(fā)生的漂移或偏差，例如閾壓、泄漏電流和動態(tài)特性。抗輻射元器件須接受抗輻射測試，如 Co60伽瑪射線和重離子輻射，這些測試是ESCC22900和 ESCC25100技術(shù)規(guī)范規(guī)定的抗輻射測試。所有器件必須通過這些測試才能獲得ESCC質(zhì)量認(rèn)證。
為全球宇航工業(yè)提供經(jīng)濟(jì)且高性能的宇航級功率MOSFET貨源，意法半導(dǎo)體優(yōu)化經(jīng)過市場驗證的STripFET制程，使其兼容制造防輻射元器件的技術(shù)和制程。
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計能力和知識產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實力，意法半導(dǎo)體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無可爭議的行業(yè)領(lǐng)袖。2010年，公司凈收入為103.5億美元。詳情請訪問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com
據(jù)衛(wèi)星產(chǎn)業(yè)協(xié)會報告顯示，全球衛(wèi)星市場正在穩(wěn)步增長，每年收入達(dá)1600多億美元[1]。雖然核心電子元器件產(chǎn)自于全球不同地區(qū)，包括歐洲和亞洲，但獲得宇航應(yīng)用認(rèn)證的器件主要來自美國。意法半導(dǎo)體與歐洲宇航局（ESA）和法國宇航研究中心（CNES）合作研發(fā)的全新抗輻射功率MOSFET系列完全符合歐洲宇航元器件協(xié)調(diào)委員會（ESCC）的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。
意法半導(dǎo)體不僅擴(kuò)大了全球宇航質(zhì)量級元器件的貨源，還成功打破可能拖延項目工期或禁止使用某些器件和進(jìn)入某些市場采購限制。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部總經(jīng)理Ian Wilson表示：“這款新的防輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品是根據(jù)宇航技術(shù)要求設(shè)計的，也是首款來自歐洲半導(dǎo)體廠商制造的宇航級元器件。”
全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)品組成，包括額定電壓100V的STRH100N10、STRH8N10和STRH40P10；額定電壓60V的STRH100N6和STRH40N6。100V的P溝道器件的額定電流為34A。低柵電荷量是意法半導(dǎo)體STripFET制程的特性，可提升晶體管的開關(guān)性能，是直流功率模塊如電機(jī)控制器和線性穩(wěn)壓器、線路開關(guān)和電子限流熔斷器的理想選擇。
意法半導(dǎo)體宇航級功率MOSFET晶體管的主要特性：
·快速開關(guān)性能
·100%雪崩測試
·密封式封裝
·可承受70/100 krad總離子輻射量(TID)
·抗SEE輻射
STRHxxxN10、STRHxxxN6和STRH40P10系列現(xiàn)已上市，達(dá)到EM（工程模型）或 ESCC的航空質(zhì)量級標(biāo)準(zhǔn)，封裝采用TO254-AA和TO-39通孔封裝。此外，意法半導(dǎo)體還提供SMD.5貼裝版抗輻射晶體管。STRH100N10達(dá)到了 ESCC 5205/021技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其它產(chǎn)品預(yù)計將于2011年下半年達(dá)到 ESCC 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)于宇航級半導(dǎo)體：
抗輻射是宇航元器件的主要要求。在太空中存在大量的輻射源，例如，范艾倫輻射帶、太陽風(fēng)和太陽耀斑以及銀河宇宙射線。
當(dāng)被迫受到伽瑪射線和重離子輻射時，抗輻射或防輻射元器件能夠在這種環(huán)境長時間工作。MOSFET晶體管的抗輻射方法是，優(yōu)調(diào)產(chǎn)品設(shè)計和制程，提高耐輻射能力，最大限度減少重要參數(shù)因輻射而發(fā)生的漂移或偏差，例如閾壓、泄漏電流和動態(tài)特性。抗輻射元器件須接受抗輻射測試，如 Co60伽瑪射線和重離子輻射，這些測試是ESCC22900和 ESCC25100技術(shù)規(guī)范規(guī)定的抗輻射測試。所有器件必須通過這些測試才能獲得ESCC質(zhì)量認(rèn)證。
為全球宇航工業(yè)提供經(jīng)濟(jì)且高性能的宇航級功率MOSFET貨源，意法半導(dǎo)體優(yōu)化經(jīng)過市場驗證的STripFET制程，使其兼容制造防輻射元器件的技術(shù)和制程。
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，為各種應(yīng)用領(lǐng)域的電子設(shè)備制造商提供創(chuàng)新的解決方案。憑借公司掌握的大量技術(shù)、設(shè)計能力和知識產(chǎn)權(quán)組合、戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系和制造實力，意法半導(dǎo)體矢志成為多媒體融合和功率應(yīng)用領(lǐng)域無可爭議的行業(yè)領(lǐng)袖。2010年，公司凈收入為103.5億美元。詳情請訪問意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站 www.st.com
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