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Microchip推出RF功率放大器SST12LP17E和SST12LP18E

2011-06-22 來源:微波射頻網 字號:

Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出新款SST12LP17E和SST12LP18E器件,擴展其RF功率放大器產品線。SST12LP17E是同類產品中體積最小但能完全匹配的功率放大器,只需要一個DC旁路電容即可實現最優性能。SST12LP18E是Microchip廣受歡迎的SST12LP14E功率放大器的一款替代產品,具備更低的成本和電壓。它的工作電壓是Microchip全線RF功率放大器中最低的,并可在-20℃至+85℃條件下工作。新器件可工作于2.7V的低電壓,線性輸出功率高達18.5 dBm為2.5% EVM于IEEE 802.11g OFDM 54 Mbps標準下,輸出23.5 dBm時附加功率效率高達38%于IEEE 802.11b標準下。這些功率放大器采用8引腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝。它們是小尺寸、高效率和低電池電壓工作的嵌入式WLAN應用的理想選擇,如消費電子市場、手機、游戲機、打印機和平板電腦。

許多工程師都面臨著延長其應用電池壽命的壓力,這些全新器件通過提供高附加功率效率降低電池電耗,并且通過低工作電壓進一步延長了電池壽命,從而滿足上述需求。SST12LP17E的RF輸入和輸出端已完成阻抗匹配,因此易于使用,使產品更快上市。此外,該器件無需外部RF匹配元件,只需要一個外部電容,占用的電路板空間更少。

Microchip射頻部副總裁Daniel Chow表示:“隨著這些全新功率放大器的發布,Microchip現在可以更低的工作電壓為客戶提供在同等溫度條件下同樣可靠運行的性能。這些結合了高效率運行能力的低工作電壓器件有助于延長消費電子行業各種應用的電池工作壽命。”

封裝與供貨

新款RF功率放大器采用8引腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝。現在即可通過http://www.microchip.com/get/337Q申請樣片,并可以進行批量訂購。

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