TriQuint 推出最新18W 氮化鎵 (GaN) 封裝 HEMT 射頻功率晶體管（T1G6001528-Q3 ），實現更高的輸出功率和出色的效率 —6GHz下的效率高達60%。這款產品是商業無線通信、航空電子、雷達、測試設備以及其他高功率、寬范圍頻率覆蓋和高效率的應用。TriQuint公司中國區總經理熊挺說：“當今，幾乎所有的高性能應用不僅需要出色的射頻功率器件，還需要關鍵的性能參數，T1G6001528-Q3證明了TriQuint 氮化鎵技術完全可以滿足這些挑戰。”