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格林斯博羅—2012年6月14日，RFMD宣布其晶圓代工服務部已更新其制程設計套件（PDK），以搭配安捷倫（Agilent）最近推出的Advanced Design System（ADS）2011EDA軟件。強化的PDK可立即向目前的和潛在的RFMD晶圓代工服務客戶供貨，以用于RFMD的氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）制程工藝。
RFMD的PDK可支持完整的ADS前至后端MMIC設計流程，具備可擴展組件，內(nèi)建設計規(guī)則檢查器，以及ADS2011的布局功能。PDK可與ADS2011、ADS2009 Update1及ADS2008 Update2無縫搭配，使RFMD的晶圓代工服務客戶可獲益于ADS2011的顯著性能優(yōu)勢。
RFMD的GaN和GaAs制程工藝提供客戶代工服務，并擁有RFMD先進的周期時間支持。RFMD的晶圓代工產(chǎn)品包括GaN1（用于高功率的GaN），基于SiC制程工藝的0.5微米GaN，可發(fā)揮65V CW作業(yè)，并針對4GHz及以下最高性能而優(yōu)化。RFMD的GaN1電源工藝提供了400V以上的高擊穿電壓，而RFMD的GaN2則為SiC制程工藝0.5微米GaN，提供高性能通訊系統(tǒng)的高線性度。GaN工藝由RFMD位于北卡羅萊納州格林斯博羅的廠房制造，其為全球最大的III-V晶圓廠之一。
格林斯博羅廠也生產(chǎn)HBT8D，它是RFMD的大容量InGap工藝，主要用于手機和混合訊號應用，另IPC3為集成無源器件工藝，其透過高功率兼容性補足了RFMD的GaN工藝產(chǎn)品陣容。
其他RFMD晶圓代工產(chǎn)品包括低噪聲的0.25微米GaAs pHEMT工藝FD25，以及高功率0.3微米GaAs pHEMT工藝FD30，兩者均支持達25GHz的應用。RFMD的工藝陣容還包括FET1H，其為0.6微米的GaAs pHEMT工藝，以及FET2D，其為0.6微米GaAs E/D pHEMT工藝。RFMD的pHEMT工藝由該公司的英國Newton Aycliffe廠制造。
關于RFMD
RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq股市代號：RFMD）是高性能射頻組件以及復合半導體工藝設計和制造領域的全球領導者。RFMD產(chǎn)品可幫助實現(xiàn)全球移動性，提供加強的連接性，以及支持移動設備、無線基礎設施、無線局域網(wǎng)（WLAN或WiFi）、有線電視（CATV）/寬帶、智能能源/高級計量基礎設施（AMI）以及航空和國防市場中的高級功能。RFMD半導體工藝多樣化產(chǎn)品組合以及RF系統(tǒng)專業(yè)工藝享有業(yè)界知名度，是全球頂尖移動設備、客戶終端設備以及通信設備提供商的首選供應商。
RFMD總部位于北卡羅來納州、Greensboro，是一家在全球擁有工程、設計、銷售及服務機構的、且具ISO9001、ISO14001及ISO/TS16949認證的制造商。RFMD在納斯達克全球精選市場上市交易，交易代碼RFMD。
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