BGU706x系列具有業內最低的硅片噪聲系數，可節省80%的器件數量。

恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達克代碼：NXPI）今天推出BGU706x系列多級基站LNA，支持可變增益，0.9 dB的噪聲系數處于硅接收鏈業內最低水平。架構上，該LNA集成了一款超低噪聲LNA和一種旁路功能，其后是一個模擬控制可變增益放大器(VGA)。這些BGU706x低噪聲放大器具有高線性度的特點，并且最多可使元件數量減少80%。

BGU706x基站LNA的射頻輸入過驅高達10-15 dBm，具有突出的耐用性，采用恩智浦硅鍺碳(SiGe:C) BiCMOS工藝技術制成，可為高頻應用帶來優秀的性能。恩智浦將于本周在加拿大蒙特利爾IMS2012國際微波會議上展示BGU705x固定增益LNA和BGU706x可變增益LNA（展位號：607）。

“隨著移動數據通信快速取代語音通信，當今的無線基礎設施面臨一個挑戰。憑借超低的噪聲系數，我們的最新多級LNA可以增大小區覆蓋范圍，減少所需基站數量，從而幫助運營商節省可觀的資本支出和運營開支，”恩智浦半導體無線基礎設施營銷總監Kees Schetters說道，“通過簡化設計導入，這些LNA還可幫助工程師集中精力攻克難關，使應用性能邁上新的臺階，從而獲得顯著的競爭優勢。”

技術要點：
BGU706x集成多級LNA和可變增益，0.9 dB的噪聲系數處于硅接收鏈行業的最低水平，可以增大小區覆蓋范圍。
BGU706x LNA具有突出的耐用性，射頻輸入過驅高達10-15 dBm。這樣有利于整體系統穩定性，并可以功率放大器功率的系統部分泄漏進LNA（時間雙工系統的一種可能風險）時實現極佳的性能。
另外，憑借35 dB的模擬增益控制能力和高達IP3的線性度輸入（最大增益下為0.9 dBm），BGU706x系列是存在嚴重阻擋問題的小型小區的理想選擇。
恩智浦的集成模式可以顯著減小整體LNA面積和物料成本(BoM)，減少80%的元件——在采用一個6通道接收器、服務于3個區域并具有2Rx多樣性的典型實現中，可使元件數量從360個減少至40個。

BGU706x LNA使整體系統功耗達到最佳狀態，與其他供應商的解決方案相比，功耗大約降低了30%。該系列LNA的散熱量較小，可以有效防止噪聲系數和可靠性下降，從而延長使用壽命。
新型集成型BGU706x器件對恩智浦現有BGU705x系列形成了良好的補充。借助20 dBm的射頻輸入功率過驅能力和高ESD保護能力（HBM 4 kV；CDM 2 kV），這些器件非常耐用，能夠滿足苛刻的功率需求，最大功率增益高達37.5 dB，功耗水平則非常低（65 – 90 mA）。

產品和上市時間
BGU7063 和BGU705x 系列LNA即將上市。BGU7060、BGU7061、BUG7062將于2012年7月上市。

可變增益的集成式多級LNA的頻率范圍：
BGU7060：700MHz – 800MHz
BGU7061：800MHz – 950MHz
BGU7062：1710MHz – 1785MHz
BGU7063：1920MHz – 1980MHz

固定增益型LNA的頻率范圍：
BGU7051：500MHz – 1500MHz
BGU7052：1500MHz – 2500MHz
BGU7053：2300MHz – 2800MHz

關于恩智浦半導體
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)以其領先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標準產品解決方案。這些創新的產品和解決方案可廣泛應用于汽車、智能識別、無線基礎設施、照明、工業、移動、消費和計算等領域。公司總部位于歐洲，在全球超過25個國家擁有大約28,000名員工，2009年公司營業額達到38億美元。