日前，設計與制造高性能射頻系統與解決方案的RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專有微機電系統(MEMS)——面向 RF及其他應用的技術。RFMD期望其專有的MEMS技術將在RF及其他應用中實現突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是開發面向低成本整合RF應用的MEMS技術的先驅者，公司自2004年起便已開始積極進行MEMS技術的商業化。RFMD期望其專有的MEMS技術將在RF及其他應用中實現突破性的性能及空前水平的功能整合。
RFMD推出的第一批RF MEMS器件將是面向3G多模手機的RF MEMS發送接收開關及RF MEMS模式開關。通過極大減小產品占位面積并提高效率，從而延長手機通話時間，RFMD的MEMS 開關技術將有助于加速3G部署。當與面向前端解決方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD業界領先工藝技術相結合時，RFMD的RF MEMS開關技術將樹立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標準。
RFMD的MEMS開關還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創建可調諧的PA，公司預計這將實現真正自適應的收發器解決方案。
RFMD研發副總裁Victor Steel指出：“RFMD專有MEMS技術的商業化以及我們200mm MEMS研發制造廠的建設強調了 RFMD不斷致力于通過一流的創新實現產品領先地位。RFMD是唯一能夠將混合信號CMOS、功率管理、功率放大器、RF開關及RF MEMS結合在低成本晶圓級封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業界領先MEMS功能的商業化，我們將能夠進一步提供可預計并超出我們客戶日益增長的RF需求的高整合度RF解決方案?！?/FONT>
加州大學圣地亞哥分校教授Gabriel M. Rebeiz強調：“現有RF MEMS開關技術基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術，這最終會增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度針鋒相對地解決了這一問題，并最終將提高產量及性能以及極大降低成本?！?/FONT>
RFMD的RF MEMS開關為高功率歐姆接觸式MEMS開關，它們是RF CMOS SOI晶圓上后處理的IC，密封在晶圓級封裝 (WLP) 電介質圓頂中。使RF MEMS開關運行所需的所有必要電路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率 MEMS開關所需的大電壓及控制信號的產生。RF MEMS開關完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩RF功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型90dBc)，同時還符合嚴格的可靠性及設計與生產成本要求。
除 RF MEMS 開關外，RFMD 還正在積極推動其他MEMS 器件的商業化，例如RF MEMS濾波器、RF MEMS共鳴器(晶體替代器件)及 MEMS傳感器。公司期望其MEMS技術連同其在高性能射頻系統中的現有核心能力將最終實現能夠適應任何無線協議–蜂窩或非蜂窩–的單片前端及軟件定義無線電。
RFMD 將構建200mm研發晶圓制造廠以支持其不斷的MEMS開發。該MEMS研發制造廠將與RFMD GaN 研發機構共同位于北卡羅萊納Mooresville的新工廠中。
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