科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出其最新低基面位錯(cuò)（LBPD）100 毫米 4H 碳化硅外延片。該款低基面位錯(cuò)材料的外延漂移層的總基面位錯(cuò)密度小于 1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯(cuò)容量小于0.1 cm-2。這一新型低基面位錯(cuò)材料的推出進(jìn)一步體現(xiàn)了科銳長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)碳化硅材料技術(shù)的不斷投入和創(chuàng)新。

 

科銳功率器件與射頻（RF）首席技術(shù)官  John Palmour 表示：“碳化硅雙極型（Bipolar）器件的發(fā)展長(zhǎng)期以來(lái)受制于基面位錯(cuò)引起的正向電壓衰減。該款低基面位錯(cuò)材料能夠用于諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和可關(guān)斷晶閘管（GTO）等高壓雙極型器件，并且增加這些器件的穩(wěn)定性。這一最新成果有助于消除遲滯高功率器件商業(yè)化的阻礙。”

 

碳化硅是一種高性能的半導(dǎo)體材料，被廣泛地應(yīng)用在照明、功率器件和通訊器件產(chǎn)品的生產(chǎn)中，包括發(fā)光二級(jí)管（LED）、功率轉(zhuǎn)換器件以及無(wú)線通訊用射頻功率晶體管等。

 

低基面位錯(cuò)外延片現(xiàn)已可開(kāi)始訂購(gòu)。

 

科銳成立于 1987 年，是美國(guó)上市公司（1993 年，納斯達(dá)克：CREE），為全球 LED 外延、芯片、封裝、LED 照明解決方案、化合物半導(dǎo)體材料、功率器件和射頻于一體的著名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者。科銳 LED 照明產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等方面獨(dú)一無(wú)二的材料技術(shù)與先進(jìn)的白光技術(shù)，擁有 1,300 多項(xiàng)美國(guó)專利、2,900 多項(xiàng)國(guó)際專利和近 390 項(xiàng)中國(guó)專利（以上包括已授權(quán)和在審專利），使得科銳 LED 產(chǎn)品始終處于世界領(lǐng)先水平。