宜普推出氮化鎵場效應(yīng)晶體管開發(fā)板 可用于無線充電及射頻應(yīng)用
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近期宣布推出采用增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)的EPC9004開發(fā)板, 展示最新推出、專為驅(qū)動氮化鎵場效應(yīng)晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅(qū)動器,可幫助設(shè)計工程師簡單地及以低成本從硅功率晶體管改為采用更高效的氮化鎵場效應(yīng)晶體管。
EPC9004開發(fā)板是一種200 V峰值電壓、2 A最大輸出電流的半橋電路設(shè)計,內(nèi)含EPC2012氮化鎵場效應(yīng)晶體管,并同時配合德州儀器公司的快速柵極驅(qū)動器(UCC27611),從而縮短設(shè)計高頻及高效功率系統(tǒng)的時間及減少設(shè)計的復(fù)雜性。
推出EPC9004開發(fā)板的目的是簡化評估高效氮化鎵場效應(yīng)晶體管的過程,因為這種開發(fā)板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關(guān)鍵元件,因此易于與目前任何轉(zhuǎn)換器連接。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發(fā)板一起提供的還有一份供用戶參考的速查指南,使用戶可以更容易使用開發(fā)板。
受益于200 V的EPC2012晶體管的應(yīng)用包括無線電源充電、磁力共振掃描及具低射頻的應(yīng)用如智能儀表通信設(shè)備。
EPC9004開發(fā)板的單價為95美元,客戶可以通過DigiKey公司在網(wǎng)上購買,網(wǎng)址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 。
氮化鎵場效應(yīng)晶體管的設(shè)計資料及技術(shù)支持
EPC9004速查指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9004_qsg.pdf
EPC2012及所有宜普氮化鎵器件的數(shù)據(jù)表,可在這個網(wǎng)頁下載: http://epc-co.com/epc/Products.aspx
關(guān)于開發(fā)板及其它設(shè)計支持的資料: http://epc-co.com/epc/ToolsandDesignSupport/DemoBoards.aspx
宜普公司簡介
宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商,為首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管,其目標應(yīng)用包括服務(wù)器、無線電源傳送、包絡(luò)跟蹤、射頻傳送、以太網(wǎng)供電、太陽能微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網(wǎng)站www.epc-co.com 。