恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日宣布，針對TD-LTE F+A 8通道市場，推出超高性價比解決方案BLP8G21S-160PV。該方案主要應用于1880MHz-2025MHz TD-LTE 基站多載波寬帶射頻功率放大器。

BLP8G21S-160PV是針對1880MHz-2025MHz寬帶基站應用而設計的160W LDMOS晶體管。具體特性和優勢包括：
·針對1880MHz-2025MHz寬帶應用設計
·VBW增強管腿設計，以增強視頻帶寬
·極好的健壯性設計
·高效率
·極好的熱穩定性
·能簡化應用的內匹配設計
·高增益
·集成ESD保護
·滿足RoHS要求

該方案采用填充式塑封封裝，以保證對低成本的需求；同時保證良好的射頻性能和可靠性。