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美高森美擴展高頻率垂直擴散MOSFET產(chǎn)品系列

2013-09-23 來源:微波射頻網(wǎng) 字號:

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS)MOSFET產(chǎn)品系列,兩款更大功率、更高電壓(V)VRF2944 和VRF3933器件經(jīng)設計在2-60 megahertz (MHz)的工業(yè)、科學和醫(yī)療(ISM)頻率范圍運作,目標應用包括需要大功率和高增益而不影響可靠性、穩(wěn)定性或互調(diào)失真的商業(yè)和國防RF功率和寬帶通信。

與包括SD2933的競爭器件相比,業(yè)界領(lǐng)先的VRF2944器件在50V供電電壓下提供400W或提高33%的輸出功率。美高森美公司的較大功率器件允許客戶將現(xiàn)有系統(tǒng)的功率增加33%,或減少其RF功率系統(tǒng)的每瓦費用。此外,通過在MOSFET器件上集成一個柵極電阻來提升寄生阻抗,以保持60MHz的最大工作頻率。VRF2944器件與美高森美的前代產(chǎn)品VRF2933相似,能夠在最高65V供電電壓下運作,單一VRF2944器件可以提供675W輸出功率。

VRF3933器件能夠在最高100V供電電壓下運作,并且提供300W輸出功率,較高電壓MOFET器件還具有較高的輸出阻抗,可以更便利地匹配50Ω負載。例如,四個VRF3933器件兩兩并聯(lián),而且這兩個并聯(lián)對器件采用推挽式,能夠通過4:1變壓器,使用83V供電電壓向50Ω負載發(fā)送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF產(chǎn)品系列的主要特性包括:
· 高于大多數(shù)競爭器件的電壓實現(xiàn)較高的輸出功率:Po與V2成比例;
· 氮鈍化芯片具有高可靠性;
· 金涂敷和金線粘接獲得更高的可靠性,并且
· 通過美高森美的應用工程技術(shù)團隊獲得設計支持

供貨和價格

美高森美公司現(xiàn)在提供VRF2944和VRF3933器件現(xiàn)貨。

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