RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）近期宣布推出一款采用對稱設計可實現超高隔離的SPDT射頻開關RFSW6124。該 GaAs pHEMT 開關的典型應用包括蜂窩基站和其他要求高線性度和功率處理能力的通信系統。RFSW6124 采用非反射架構為在閉合狀態下實現端口，并為全閉合狀態提供了啟動接腳。開關控制為 3V 和 5V 正邏輯兼容。

主要特點
•  50 MHz 至 6000 MHz 操作
•  高隔離度： 70dB (在2GHz 時)
•  高 IIP3： :58dBm (在5V時)
•  對稱的SPDT
•  非反射結構的 RF1 和 RF2 端口
•  在全閉合狀態下端接 RF1 和 RF2 端口
•  3V 和 5V 邏輯兼容

主要應用
•  蜂窩式、3G、LTE 基礎設施
•  無線回傳
•  高性能通信系統
•  測試設備

本產品目前已批量生產。若以購買750 件為一批，則每件售價1 美元起。