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EPC推出采用具亞納秒范圍內開關速度的氮化鎵晶體管

2014-03-20 來源:微波射頻網 字號:

宜普電源轉換公司(EPC)推出采用半橋式拓撲并配備一個板載柵極驅動器的開發板,可簡化對超高頻、高性能的EPC8000氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)系列進行評估。

EPC公司推出全新開發板系列(型號由EPC9022 至EPC9030),可簡化對超高頻氮化鎵(eGaN)功率晶體管EPC8000產品系列進行評估。

由于 EPC8000系列 的高頻氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET)在亞納秒范圍內開關,因此適用于10 MHz頻率以上的硬開關應用,使得功率及射頻晶體管的分界線變得模糊!我們設計它們工作在10 MHz頻率下。即使在10 MHz以上時,這些產品也具有非常高的小信號射頻性能,并且在低吉赫茲頻率范圍內具有高增益,使得這些器件成為射頻應用中極具競爭力的一個選擇。對于需要具極速開關性能的功率晶體管的應用如無線電源、采用65 V及100 V器件的包絡跟蹤等應用,它們是理想器件。

EPC8000 系列的產品包括具有125 mΩ至530 mΩ阻抗值及40 V、65 V及100 V阻隔電壓能力可供選擇。

為了簡化對高頻、高性能的氮化鎵場效應晶體管進行評估,宜普公司為這個全新產品系列內的每一個器件提供開發板。每塊開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,內含兩個氮化鎵場效應晶體管,使用半橋式配置,最低開關頻率為500 KHz。板上集成了所有關鍵組件以實現最高頻開關性能。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單波形及計算效率。 

EPC8000 產品系列的規范及相關的開關板

eGaN FET
Part Number
VDS (V) RDS(on) Max (mΩ) (VGS = 5 V,
ID =0.5 A)
Peak ID Min (A) (Pulsed, 25 °C,
Tpulse = 300 µs)
Development Board
EPC8004 40 125 7.5 EPC9024
EPC8007 40 260 6 EPC9027
EPC8008 40 325 2.9 EPC9028
EPC8009 65 138 7.5 EPC9029
EPC8005 65 275 3.8 EPC9025
EPC8002 65 530 2 EPC9022
EPC8010 100 160 7.5 EPC9030
EPC8003 100 300 4 EPC9023

給評估使用的EPC8000系列器件可供選購,它們以兩件及十件器件包裝,價錢由23美元起,可通過Digikey公司購買。

EPC9022至EPC9030型號的開發板的單價為150美元,也可以通過Digikey公司購買。

宜普電源轉換公司簡介
宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管,其目標應用包括直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、光學遙感技術(LiDAR)及D類音頻放大器等應用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。

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