近日國內首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產企業，蘇州能訊高能半導體有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)發布了新型氮化鎵微波功放晶體管產品DX1H2527150F。這款產品將助力通訊系統設備制造商，針對當下熱門的LTE移動通訊市場，提出更高效、更具性價比的解決方案。

能訊發布首款氮化鎵微波晶體管：DX1H2527150F

與以往的LDMOS和GaAs相比，GaN功放管在功率密度、工作帶寬和效率方面具有無與倫比的優勢。這也使得GaN在移動互聯網、衛星通訊、有線電視等等領域有著良好的市場前景，被業界認為是射頻功率器件的未來。

該款產品是針對4G移動通訊的LTE基站應用而量身打造的，擁有杰出的線性度、效率和功率密度，采用這款產品實現的Doherty放大器表現出了非常優異的性能指標。得益于能訊公司先進的設計和優良的工藝，產品多項指標處于業界領先地位。同時，能訊公司承諾為客戶提供及時響應、深度協助、提升競爭力的服務標準，為客戶提供完整成熟的解決方案和充分的應用技術支持。

氮化鎵是半導體與微電子產業的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵（GaN）半導體器件產品將統治微波放大和電能轉換領域，市場規模大于150億美元。為了爭奪這一技術制高點和市場機遇，世界各大半導體商都投入了巨大的力量，氮化鎵電子產業的發展已進入了爆發式增長的前奏。

氮化鎵應用在微波領域的優勢表現為：

氮化鎵應用在電力電子領域的優勢：

關于能訊高能半導體

能訊半導體自主開發了氮化鎵材料生長、器件設計、制造工藝、封裝與可靠性技術，已擁有46項中國發明專利和13項國際發明專利，其技術水平和產品指標均已達到國際先進水平。能訊的核心團隊有著豐富的海外從業經驗，目前還保持著眾多氮化鎵技術的世界紀錄。公司有員工150余人，50%以上擁有本科學歷，其中包括海外歸國博士8名、碩士40余名。公司先后承擔了國家“核高基”重大科技專項、科技部863重大項目以及省、市級重大科技產業項目。

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