高性能射頻、微波和毫米波產品的領先供應商美國M/A-COM技術解決方案有限公司日前宣布，推出一款新的適用于L波段脈沖雷達的碳化硅（SiC）基氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）MAGX-001214-650L00。

MAGX-001214-650L00具有650W的峰值功率，并且具有典型的19.5dB增益和60%的效率。該器件還具有高擊穿電壓，可在50V或更為極端的負載失配條件下可靠、穩定地運行。MAGX-001214-650L00組裝在一個高性能陶瓷法蘭封裝內，經過了M/A-COM公司嚴格的資格和可靠性測試。

“MAGX-001214-650L00是高脈沖功率GaN技術領域的佼佼者，它具有650W峰值輸出功率并且具有出色的增益、效率和可靠的性能。”M/A-COM公司產品經理Paul Beasly表示。

該器件的工作頻率在1200~1400MHz范圍內，并且具有530萬小時的平均無故障時間。

MAGX-001214-650L00高電子遷移率晶體管現可供樣。