安森美半導(dǎo)體和Transphorm推出600 V GaN晶體管用于緊湊型電源及適配器
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN),和功率轉(zhuǎn)換器專家Transphorm,先前宣布雙方建立了合作關(guān)系,把基于氮化鎵(GaN)的電源方案推出市場,今天美國時(shí)間宣布推出聯(lián)名的NTP8G202N (TPH3202PS)和NTP8G206N (TPH3206PS) 600 VGaN共源共柵(cascade)晶體管和使用這些器件的240 W參考設(shè)計(jì)。
安森美半導(dǎo)體電源分立分部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“GaN晶體管為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來了性能飛躍。隨著更多工程師熟悉氮化鎵器件的優(yōu)勢,基于GaN的產(chǎn)品需求將快速增長。安森美半導(dǎo)體和Transphorm正工作于新的發(fā)展前沿,并加速市場的廣泛采納。”
兩款新品NTP8G202N (TPH3202PS) 和NTP8G206N (TPH3206PS),導(dǎo)通阻抗典型值為150 mΩ和290 mΩ,采用優(yōu)化的TO-220封裝,易于根據(jù)客戶現(xiàn)有的制板能力而集成。兩款600 V產(chǎn)品均已使用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證并在量產(chǎn)。
NCP1397GANGEVB(TDPS250E2D2)評估板為客戶提供完整的參考設(shè)計(jì),以實(shí)現(xiàn)和評估他們的電源設(shè)計(jì)中的GaN共源共柵晶體管。該評估板為客戶提供比使用傳統(tǒng)器件的電源更小的占位面積和更高的能效。升壓段提供98%的能效并采用NCP1654功率因數(shù)校正控制器。LLC DC-DC段使用NCP1397諧振模式控制器提供97%的滿載能效。這性能在以200+千赫茲(kHz)運(yùn)行時(shí)實(shí)現(xiàn),而且顯然也能滿足EN55022的B類電磁兼容(EMC)性能。完整的文檔請從安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站獲取。
蒞臨安森美半導(dǎo)體在2015 APEC的407展臺(Transphorm – 1317展臺)觀看關(guān)于GaN器件以及新的電流模式LLC電源和汽車電機(jī)驅(qū)動器的演示。
關(guān)于Transphorm
Transphorm正在重新定義電源轉(zhuǎn)換,提供具成本競爭力、易于嵌入的電源轉(zhuǎn)換模塊,降低代價(jià)高昂的電能損失超過50%,簡化用于太陽能面板及電動汽車的電機(jī)驅(qū)動器、電源和變頻器的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)。從材料技術(shù)及器件制造到電路設(shè)計(jì)及模塊封裝,Transphorm均設(shè)計(jì)及提供符合全球客戶需求的電源轉(zhuǎn)換器件及模塊。Transphorm創(chuàng)建了一個(gè)電氣系統(tǒng)制造商生態(tài)系統(tǒng),加速專用電源模塊的采用,為優(yōu)化能效的下一代電氣系統(tǒng)開辟道路。
關(guān)于安森美半導(dǎo)體
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新,使客戶能夠減少全球的能源使用。公司全面的高能效電源和信號管理、邏輯、分立及定制方案陣容,幫助設(shè)計(jì)工程師解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司運(yùn)營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目,及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。