面向大電流、高頻的負載點應用的EPC9059開發板內含業界第一種
單個半橋式增強型氮化鎵(eGaN^®)集成電路，可實現更高功率密度。

宜普電源轉換公司（EPC）推出半橋式開發板（EPC9059），專為大電流、高頻的負載點（POL）應用而設，目的是利用氮化鎵集成電路（eGaN IC）的優勢，縮小功率轉換系統的尺寸。該板具有30 V最高器件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應用中，兩個30 V 的eGaN IC（EPC2100）并聯工作并配備板載驅動器，從而可以實現更高的輸出電流。與硅基MOSFET相比，由于氮化鎵器件具有卓越的均流能力，因此更適合并聯操作。

在12 V輸入電壓、1 V輸出、1 MHz開關頻率的工作條件下，該板的總系統效率差不多達90%。 在自然對流及沒有散熱器的條件下，它可支持的負載可以達32 A。而在40 A重負載的條件下，與硅基DrMOS解決方案相比，效率會高出2.5%，使系統的總功率損耗差不多降低了20%。

該板展示了氮化鎵技術如何針對新一代負載點轉換器所需的更高的頻率及更大的電流，從而實現更細小、更高效及具有更高功率密度的解決方案。

價格及供貨詳情

EPC9059開發板的單價為137.75美元，可立即從Digikey公司或北高智科技公司購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括 直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。