比利時微電子研究中心（IMEC）正在擴展其硅基氮化鎵（GaN）研發(fā)計劃，并正在硅基氮化鎵200毫米外延和增強型模塊器件技術方面開展聯(lián)合研究。

此次擴展的研發(fā)倡議包括探索新的基底以提高外延層的質(zhì)量，開發(fā)新的隔離模塊以增加集成度，開發(fā)先進的垂直器件。IMEC歡迎對下一代GaN技術感興趣的新合作伙伴，以及尋求硅基氮化鎵設備小批量生產(chǎn)的企業(yè)，推動下一代更加高效和緊湊的功率轉(zhuǎn)換器的開發(fā)。

IMEC智能系統(tǒng)分部的執(zhí)行副總裁Rudi Cartuyvels表示，“自此計劃2009年7月啟動以來，我們已獲益于強大的產(chǎn)業(yè)界參與，包括集成器件制造商（IDM），外延廠商、設備和材料供應商的參與。這突出了我們產(chǎn)品的工業(yè)關聯(lián)性。感興趣的公司被邀請成為合作伙伴，并積極參與我們的計劃。IMEC的開放創(chuàng)新模式使公司能夠盡早參與下一代設備和功率電子工藝、設備和技術，共享成本，加快創(chuàng)新步伐。”

與硅相比，GaN技術可提供具有更高擊穿電壓和低導通電阻的更高轉(zhuǎn)換功率器件，使其成為先進功率電子組件的優(yōu)秀材料。IMEC硅基氮化鎵研發(fā)項目的啟動旨在開發(fā)一種硅基氮化鎵工藝，將氮化鎵技術推向產(chǎn)業(yè)化。

基于IMEC外延層生長的跟蹤記錄，新器件概念和COMS器件集成，IMEC目前已開發(fā)出一個200毫米CMOS兼容的氮化鎵工藝線。IMEC硅基氮化鎵技術日漸成熟，企業(yè)可以通過加入IMEC硅基氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）進入工藝線平臺。通過專用的開發(fā)項目，工藝線也對那些針對其需求對硅基氮化鎵器件小批量生產(chǎn)感興趣的無晶圓廠商開放。

IMEC組合包括用于優(yōu)化擊穿電壓和低陷阱相關現(xiàn)象（即當前的分散體）的三類緩沖器：一種是分級AlGaN緩沖器，一種是超晶格緩沖器，一種是具有低溫AlN中間層的緩沖器。IMEC開發(fā)出并行的增強型MISHEMT和p-GaN HEMT功率器件，以及具有低反向漏電流和低導通電壓的柵極終端肖特基功率二極管。

最新一代IMEC增強型功率器件顯示出+2V以上的閥值電壓，低于10歐姆毫米的導通電阻，超過450毫安/毫米的輸出電流。這些器件代表著增強型功率器件現(xiàn)有的技術狀態(tài)。

在GaN項目的下一階段，IMEC正關注于進一步提高其當前功率器件的性能和可靠性，同時通過在基底技術、更高集成度和創(chuàng)新器件體系架構開發(fā)方面的創(chuàng)新，推動技術發(fā)展。（工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所 唐旖濃）