概倫電子科技有限公司宣布中芯國際集成電路制造有限公司（下稱中芯國際, 紐交所代號:SMI，港交所股份代號：981）已在其先進工藝制程開發流程中采用概倫電子NanoYield高良率（High Sigma）解決方案。

概倫電子作為SPICE模型解決方案的全球領導廠商及業界領先的良率導向設計（DFY）技術供應商，于2012年推出NanoYield—專為存儲器、邏輯和模擬電路設計所研發的快速而精準的良率預測和優化軟件。

靜態隨機存取存儲器（SRAM）的良率受局部工藝漂移所限制，這種情況在先進工藝制程、在28納米及以下的工藝節點上尤為突出。在傳統的工藝開發中，工程師需要同時運行多個不同的工藝批次，然后對結果加以分析來判斷工藝漂移對SRAM良率的影響，在耗費時間的同時也增加了開發成本。在IBM授權技術基礎上改進和開發且通過硅認證的NanoYield高良率分析技術（HS-Pro），可以成幾個數量級地縮短傳統蒙特卡羅(Monte Carlo)用于高良率（High Sigma）分析的仿真時間。通過運行一系列代表不同工藝改進的計算機仿真，工程師可以利用NanoYield高良率分析技術在工藝制程開發的早期對SRAM良率進行高達6σ的快速預測和驗證，幫助半導體代工廠在先進工藝開發過程中更好地控制成本，加快上市的進程，同時為其客戶提供更好的產品良率。

中芯國際與概倫電子在先進SPICE建模領域已合作多年，雙方已建立長期的戰略合作關系，本次合作將延伸到面向良率提升的工藝制程技術研發和設計流程改進等。在此次合作中，中芯國際采用NanoYield對28納米、20納米及以下工藝節點的先進工藝制程開發中的SRAM進行優化。“NanoYield已成為我們工藝制程開發流程中的重要組成部分。”中芯國際技術研發執行副總裁李序武博士表示，“NanoYield可以幫助我們改進工藝，減少實現良率目標所需的時間。”

“中芯國際是我們最有價值的合作伙伴之一”，概倫電子董事長兼總裁劉志宏博士表示，“通過雙方的緊密合作，中芯國際28納米工藝制程的開發已采用NanoYield高良率解決方案進行SRAM良率的優化。早期的SRAM良率的驗證可以增強客戶和IP合作伙伴的信心，從而加快產能提升的步伐。”