硅基增強型功率氮化鎵（eGaN）功率晶體管之全球領導廠商宜普電源轉換公司于亞太區業界技術研討會進行了三場技術演講。

于3月18日在上海舉行的兩場業界研討會中，宜普公司技術專家與觀眾分享了更高效的氮化鎵（GaN）功率器件如何替代陳舊的硅MOSFET器件，并如何在無線電源傳送（WiPo）應用取得更高性能。多個提高性能的范例包括在一個全新功率轉換設計中提高效率達20%，及另一個設計在6.78 MHz的ISM頻帶下工作并使用松散耦合線圈，可傳送高達30W功率。

于4月10日宜普公司的首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士將于寬能隙電力電子國際研討會演講，議題為“利用氮化鎵擊敗硅技術”。Lidow希望借著這個促進技術合作和知識交流的機會與工程師分享全新應用、目前市場上最新的產品信息、氮化鎵技術未來發展的路線圖及氮化鎵與功率MOSFET、碳化硅器件的相對競爭力的比較。