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第三屆國際無線會議(IWS 2015)研討會預告

2015-03-17 來源:微波射頻網 字號:

第三屆IEEE MTT-S 國際無線會議(IWS 2015)將于2015年3月30日至4月1日在中國深圳舉行。IWS在中國每年舉行一次,以提供一個在微波電路,硬件,以及與現有的和新興的無線系統的物理層方面的RF系統的最新技術成果的展示和交流的國際論壇。 此外,為了應對在未來5G標準的大量無線流量,IWS 2015的研討重點是無線和光纖系統之間的銜接。IWS 2015 將由“并行會議”、“研討會”和“最新無線商業產品展示”三個組成部分。

在2015年IWS技術程序委員會在中國深圳努力創造多元化,引人入勝的研討會!

研討會議程:

WS1:石墨烯和其他2D材料與器件的無線應用(全天)

主持人:James C. M. Hwang, 利哈伊大學;Shin-Shem Pei, 休斯頓大學

布置在二維(2D)蜂窩狀晶格碳原子的單個片材已經是許多涉及基礎物理和材料方面及設備應用的研究主題。在這一領域的研究開辟了其它2D材料的應用,如germanene,硅烯,氮化硼,磷雜環,氧化物和硫屬化物的有關發展。為了滿足從絕緣體到超導體的不同的需求范圍,設備利用材料的組合,而不是孤立的二維晶體。以此增強設備的性能和設計多樣化。對于石墨烯,其打開能隙的眾所周知局限性和其非常有限的應用,在開關應用中可能被克服。石墨烯和其他2D材料在速度柔韌性和穩定性方面有著特別優異的性能。這可能導致開發出新一代無線高頻多功能設備。

演講簡介:

標題:展望二維晶體的納米電子學和影響
演講人:Kaustav Banerjee, University of California, Santa Barbara

標題:用于微波集成電路的GHz柔性石墨烯晶體管
演講人:邱博文, 國立清華大學, 臺灣
內容摘要:柔性集成電路(ICs)的復雜功能缺少用于可佩戴電子設備環節的研發空間。在這次講座中,我將展示柔性集成電路包括射頻石墨烯場效應晶體管在PET基材上的成果。這個AlOx T-gate結構設計就是用來實現明顯增加設備跨導和減少相關的寄生電阻,因此而產生顯著的32 GHz的外在截止頻率和的20GHz的最大振蕩頻率- 這兩種工作頻率都在數量級高于以前的數據。這一成就證明無線通信接收器的兩個基本構建模塊——高性能低噪聲放大器和靈活的混頻器的實現是可行的。

標題:2D材料與石墨烯之外的設備
演講人:James C. M. Hwang, 利哈伊大學
內容摘要:在2012年5月,科學研究的美國空軍辦公室(AFOSR)和美國國家科學基金會(NSF),在這一新興領域舉辦的二維材料與石墨烯之外的設備研討會以幫助計劃一個聯合研究計劃。在2013年2月,AFOSR公布(BAA-AFOSR-2013-0001)與之同名的1500萬美元基礎研究發展計劃(BRI)。在研究和創新計劃(EFRI)二維原子層研究與工程對應的新興前沿(2-DARE)也預算1500萬美元,由于為EFRI長期的選題過程,截止2013年7月,該項目尚未由美國國家科學基金會公布(NSF13-583)。NSF計劃在2015財年在此為相同EFRI專題追加1500萬美元,用大約4500萬美元的總預算來支持這個龐大的基礎研究計劃,并以此揭開在這個激動人心領域研究活動的序幕。此外,這一舉措已補充資助許多其他AFOSR和NSF計劃項目。為了響應將BRI的邀約AFOSR收到了93號白皮書,受邀22個完整提案,并選定了8個資助項目,其中包括以每年約100萬美元的投資級的兩個大組,幾個小國際團隊,和一個政府實驗室。對于EFRI征集,NSF獲得159個預提案,受邀47個完整提案,并選定9個以每年約50萬美元資助的提案。如無意外的延誤,所有AFOSR和NSF獎項應該在2014財年年底前公布。

標題:金屬上的大型石墨烯薄膜合成和轉移到絕緣子電子應用
演講人:Shin-Shem Pei, 休斯頓大學

標題:CVD石墨烯薄膜的觸摸屏上的應用
演講人:Peng Peng, 2D Carbon

標題:展望石墨烯和其他2D材料
演講人:Andrew Wee, 新加坡國立大學
內容摘要:自2004年開始詳細研究石墨烯的物理性質以來,已經引起材料界十年的關注。石墨烯,一種原子級薄層碳可在應用程序中使用的半導體和良好的導體,例如使用在透明導電電極在柔性電子。還有其他的二維材料在半導體方面性質類似于石墨烯,從而克服石墨烯應用在電子產品的零點帶隙的問題。如二硫化鉬和WSe2,一種過渡金屬二硫屬化物(TMDS)是半導體與依賴于原子層的數目可調直接帶隙,從而開辟了潛在的電子和光電應用。最近,phospherene,單層磷原子的一些EVS電子間隙,已經引起研究者的關注,這是一個很好的候選數字化應用,如原子級薄晶體管。

在這次演講中,我將在現場給出研究進展情況,以及從我們的新加坡國立大學表面科學實驗室的帶來的具體例子。我們已經證明了兩者自下而上和自上而下的方法制造的一維石墨烯納米帶具有可調帶隙電子,從而開發了石墨烯的電子和光電應用。我們已經研究了表面輔助自下而上的制造原子級精確的扶手椅石墨烯納米帶第7,14和21行的原子帶,在Ag(111)以及它們的空間分辨寬度依賴性的電子結構。我們還將演示在一維的納米結構通過可控解壓單壁碳納米管分子內結的自上而下制造,組合石墨烯納米帶和單壁碳納米管。此結顯示強大的柵極相關的整流特性,我們證明其在原型定向相關的場效應晶體管的使用,邏輯門和高性能光電探測器。

在2D過渡金屬二硫屬化物領域中,我們使用高分辨率STM/ STS研究原子結構和內在電子性質MoS2layers(mono-, bi-, tri-)通過化學氣相沉積(CVD),直接敷在HOPG基板。我們通過CVD合成了高度結晶MoSe2單分子膜(ML);在室溫下環境條件下,該MoSe2 ML光電晶體管(<25毫秒)比相應的CVD二硫化鉬的ML光電晶體管(30秒),展示了更快的響應時間。我們還將研究高度結晶和大尺寸WSe2單分子膜通過CVD在藍寶石上增長;該ML膜在光電子開辟的應用潛力方面展現出強烈的光芒。關于磷雜環初步結果也將被討論。

標題:單晶石墨烯單層的晶圓級增長對可重復使用的氫終端鍺(Science DOI:10.1126/science.1252268, 2014年4月3日)
演講人:Dongmok Whang, Sungkyunkwan大學,韓國

標題:RF電子二維晶體半導體的商機
演講人:Huili Xing, 圣母大學

WS2:GaN在5G無線應用的挑戰和前景(全天)

主持人:Rui Ma, Mitsubishi Electric Research Laboratories

本次研討會旨在把來自學術界和工業界的國際領先GaN器件和微波電路/系統的專家聚在一起,共同討論GaN功率放大器的最新發展:GaN器件技術,必要的工具和設計方法。

特別是,討論基于GaN開展有利的技術和所需的手段,最大限度地美化GaN的5G寬帶環保基站的無線電設備。研討會將重點討論如何在有限的設備上制造最多的系統架構,包括了解神秘的GaN俘獲現象;GaN器件的發展模式;負載拉移/源牽引GaN晶體管表征RF PA的設計;多頻帶包絡線跟蹤技術的載波聚合;寬帶高效RF帕甘專用線性化方案,和由GaN開關模式PA使能重新配置的無線電發射機。

最后,該小組將對以GaN技術的移動寬帶時代的美好未來,討論的其商機和他們的立場。

演講簡介:

標題:用于電信設備的高性能氮化鎵射頻晶體管
演講人:Dr. Yi Pei, Dynax Semiconductor, Inc.
內容摘要:內容摘要:GaN HEMT是用于高功率,高頻率應用,對于3G WiMAX和4G-LTE電信系統極具吸引力。 對于III-N器件設計和工藝的新技術進行了討論。輸出功率,擊穿電壓和產率顯著增加。其出色的線性性能和效率表現出Doherty 放大器采用Dynax GaN 晶體管。  

標題:GaN的技術改進對移動通信業務帶來的膨脹,從GaN對SiC到GaN對Si.
演講人:Dr. Akira Inoue, Mitsubishi Electric Corporation
內容摘要:最近的增加的移動通信業務強制改進了BTS的數字和性能。綠色能源需要高效率的放大器。增強數據速率導致BTS的寬帶配置。氮化鎵是一個很好的備用材料,這滿足于高效率和低輸出電容的要求。然而,LDMOS是主要的BTS放大器。LDMOS和GaN都在爭相這個領域。近日,效率不斷提高的GaN技術展示出顯著的進步戰勝了LDMOS。一些捕獲效果解決了最新的設備的設計,這加強了磁場控制。工作電壓近兩倍LDMOS于50V的技術進步將被討論。為了趕上BTS市場強大的性價比需求,GaN on Si設備被開發。我們將展示對比GaN on Si與GaN on SiC裝置的最新進展。本領域的效率聯署實現GaN on Si的技術達標。

標題:BTS小型單元和微距單元GaN-Si 功率放大器高效的發展
演講人:Dr. Andrew Patterson, Macom, Northern Ireland
內容摘要:通過改進GaN-SiC技術,我們已經看到了LDMOS BTS 2GHz以上應用從市場上贏得份額。GaN on Si 基板具有GaN-SiC相同的性能優點,如高功率密度,高效率,以及低輸出電容和高頻寬帶操作。此外GaN-Si 可以容易地制造6“或8”硅晶圓提供至關重要的低成本大批量的商業應用和更高的成本效益集成度的GaN MMICs產品。本講座將概述降低受限制和相關的頻率色散行為和與Si基板管理相關的寄生效應。該演講將探討有效的測量技術,這可能是有用的表征,該技術包括脈沖IV測試和時域波形的諧波基于負載牽引。最近GaN-Si和GaN-SiC的業績達到了需要對比和討論的階段。講座還將展示GaN-Si技術如何能夠很好地處理數字預失真技術,使Small Cell和Macro Cell BTS系統實現現代應用。

標題:先進的GaN和GaAs晶體管模型,小型和大型信號VNA和NVNA微波測量結合使用
演講人:Iltcho Angelov博士, Chalmers University, Sweden
內容摘要:該程序描述了先進的GaN 和GaAs 微波FET晶體管特點并討論了提取大信號等效電路模型(LS ECM)的測量結果。設備將對使用小型和大型信號VNA和NVNA微波測量進行評估。這個(LS ECM)概念是由連接重要的SS和LS模型參數直接通過實驗測量(或TCAD)的數據。

First IV, Capacitances和他們的衍生物通過IV , S-parameters, Harmonics and LSVNA波形測量進行評估。選擇正確的定義遵循器件物理,使用特性,設備特性變形點,將降低參數的數量,來分別測量需要的模型擬合。重要的模型參數被直接測量或TCAD計算的數據連接,因此,在需要的時候LS模型參數可以直接從裝置的物理參數來計算。簡短說明將解釋EC模型構造如何通過CAD工具實現。建模流程將直觀地展示直接提取重要設備的模型參數。GaN, GaAs晶體管的較大的信號模型將被討論。請特別關注GaN HEMT設備模型。

標題:由多諧負載牽引和源牽引調諧器設計高效率GaN RF PA晶體管的特征描述
演講人:Chan-Wang Park博士, University of Quebec in Rimouski
內容摘要: 最近市場上出現了對大信號特征源牽引和負載牽引調諧器的大量需求。本演講介紹了由多諧源牽引和負載牽引調諧器協助功率放大器設計過程晶體管特性的程序和展示了如何成功通過調諧器使用到功率放大器的設計中。一個多諧的表征方法來一步一步解釋晶體管的源非線性行為和負載功率,輸出功率方面。由于晶體管電源和負載的阻抗,將展示我們設計的一個高效率集成波導型功率放大器基板。 

標題:多頻段外型跟蹤系統載波聚合信號傳輸
演講人:Slim Boumaiza博士, University of Waterloo, Waterloo, Canada
供稿者:Hassan Sarbishaei, Yushi Hu, Bilel Fehri, Slim Boumaiza
內容摘要:由于不斷地探索新的方法,實現無處不在的無線網絡,如部署適應頻譜管理技術(e.g., carrier aggregation)。這些技術的引入使發射機可以在多個頻段同時發送多個信號,同時保持嚴格的線性和效率的要求。發射器須同時發送載波間隔從幾十到幾百兆赫的雙帶和三帶信號。此外,為了最大限度地提高頻譜效率和數據吞吐量,現代的無線標準正產生通信信號具有高峰均值功率比(PAPR)的和嚴格的線性要求。因此,未來的通信基礎設施將要求高功率高效,超線性,多標準/多頻帶無線電系統。

多種反饋功率效率提高的技術,例如Doherty和ET,已經被應用到增強與單頻帶通信信號驅動功率放大器(PA)的功率效率。當然應用于并發多頻帶通信信號這些技術面任然臨著困難。例如,多爾蒂功率放大器已被證明是非常有效的放大寬帶調制信號(包括內帶的連續和非連續載波聚合信號)具有中等和高PAPR,但是放大廣泛間隔間帶載波聚合信號的效率要少得多。ET的多頻帶信號的放大用法已經由包絡放大器的有限速度的歷史外切。本講座將介紹ET功率放大器能夠擴增間帶載波聚合信號并使用多頻帶信號的包絡的低頻成分(LFC)以調制在多頻帶的ET功率放大器電源電壓。這種方法對效率的影響與多頻帶的ETPA的線性將被討論。此外,一個新的多波段數字預失真方案設計來減輕非線性的根本來源。

標題:“高能效寬帶與多頻段GaN 功率放大器”
演講人:Wenhua Chen博士, Tsinghua University, Beijing, China
內容摘要:為了適應新興的無線通信,先進的功率放大器(PA)的設計和數字預失真(DPD)方法將在這次會議進行討論。為寬帶效率的提高和雙頻功率放大器,引入新的匹配技術與采用寬帶和雙頻并發的Doherty PA設計。為了減少2D-DPD行為模式傳統的復雜性,一個2D修飾記憶多項式(2D-MMP)和一種自適應pruinng方法表現出來。最后,提出了寬帶GaN 功率放大器線性化的低采樣率DPD模型。

標題:“用于基站的高效率的可重構Outphasing功率放大器”
演講人:Mustafa Acar博士, NXP Semiconductors
內容摘要:在下一代蜂窩通信系統中,基站需要具有更高的效率,并且需要更加靈活在多個頻帶和不同的標準(2G,3G,4G等)操作。由于同時要求較高的平均效率,線性度,輸出功率和寬的帶寬,這是對用于功率放大器(PA)特別的挑戰。本演講將著重描述NXP公司新型開關模式PA(SMPA)的概念,它提供了由PA更直接的數字控制功率放大器所需的高效率和靈活性。為了做到這一點,SMPA電路組合GaN HEMT設備具有專用高壓的,高速的65nm,CMOS RF PA的驅動程序。

WS3:無線收發器的低功耗技術(半天)

主持人:Baoyong Chi, 清華大學

本次研討會旨在把國際領先的RFIC專家匯聚一堂,討論低功率無線收發器的最新發展。特別是,它將展開針對由低功率無線電必要的技術最大限度地延長電池壽命的討論。研討會將主要涉及節能收發器架構,低功率的關鍵模塊,包括可重構的高效節能變送器,節能的太赫茲無線通信,低功耗多模雙系統GNSS接收機,低功耗PLL設計和基于VCO的時域Delta-Sigma型ADCs。

演講簡介:

標題:可重新配置的塑造頻段和支持多頻道節能變送器
演講人:Chun-Huat Heng, National University of Singapore
內容摘要:在這次演講中,我們將介紹針對生物醫學應用的兩種高效節能發射器架構。通過連接注入鎖定環形振蕩器正交調制技術,光譜和節能的QPSK/ QAM調制頻段塑形可以被實現。再通過采用基于DLL相位內插合成,精細頻率調節可以得到進一步實現FSK調制和多頻道的支持。所提出的技術排除了相位校準和PLL的頻率調諧的任何需求。第一發射器工作時在900MHz達到6%EVM,在100Mbps達到26pJ/bit。第二發射器工作時在MICS頻段達到6%EVM,在12.5Mbps達到103pJ/bit。

標題:CMOS低功耗THz無線通信
演講人:Hao Yu, 新加坡南洋理工大學,新加坡
內容摘要:具有高帶寬分配,THz體系無線通信能在即時文件中短距離傳輸的超高清視頻有可能實現超高速傳輸(T-BPS)。利用和推進CMOS技術,可實現低成本的THz電子產品與系統級芯片的解決方案。然而,CMOS THz的前端的主要困難在顯著導致便攜式應用較差功率效率且功耗損失巨大的阻礙。為了滿足CMOS THz無線通信中的低功耗設計,需要有一個同相的THz信號生成,用于傳送和檢測高功率效率。在這次講座中,基于超級材料的電路設計,介紹了THz同相的相控陣MIMO收發器設計。60Hz,140GHz和280GHz高功率高效的信號源,低損耗相移器和天線陣列將被展示。

標題:低功耗技術和多模雙系統GNSS接收器
演講人:Nan Qi, Oregon State University
內容摘要:通過許多衛星資源不同系統間的交互操作,全球導航衛星系統(GNSS)已經進入了全新階段。為了實現更快的速度,更可靠和更精確的定位,GNSS接收機融入多種渠道,更寬的帶寬,和不同的工作方式。這次演講的重點是關于多模式雙系統GNSS接收機低功率的設計技術,包括單振靈活的頻率規劃,單/雙變換的拓撲結構和可擴展的構建模塊優化。最后,對4種不同的接收器和他們的測量結果討論核實低功耗設計技術。

標題:Low power PLL design for SDR applications
演講人:Liyuan Liu, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
內容摘要:在這次講座中,我們提出兩個PLL設計的SDR應用。第一個是在寬帶低震動PLL,在其中采用副諧波注入鎖定技術來抑制相位噪聲很大,而無需耗費太多的權力。第二個是一個軟件定義,無線電ΔΣ小數N分頻PLL(SDRPLL)。通過sub-VCOs涵蓋不同的頻段,PLL 可以在1.6GHz的?8.8GHz工作,而耗電量比時在21mW以下。

子諧波注入鎖定的PLL(SILPLL)在廣泛范圍的輸出時鐘頻率采用新的定時噴射校中技術來自適應調整定時噴射。此外,我們建議用于半整噴射脈沖發生器來緩解SILPLL的相位噪聲和輸出頻率分辨率之間的權衡。該SILPLL采用的是65納米CMOS的制造工藝。所測量的輸出頻率的范圍為200MHz的頻率分辨率的2.4GHz至3.6GHz和有效值小于160fs抖動從1kHz的整合至30MHz。功率在1.2V電源下只有不到9.1mW。

在SDRPLL,3 LC-VCOs,LB-VCO,MB-VCO和HB-VCO,中分別實施以1.6?3.4GHz,4.2?6GHz和5.5?8.8GHz的頻率覆蓋范圍。在分頻電路的幫助下,其中包括了兩個分頻器5個級聯分頻和兩個5-to-15 MUX的TX和RX LO信號,該SDRPLL可以產生0.1?4.4GHz正交輸出。一種新型的快速自動頻率校正(AFC)技術,解決了大大縮短VCO的頻率校準時間,同時也沒有AFC分辨率的害處。測量顯示AFC的7位數字控制校準時間的VCO的電容陣列只小于1.5us的分辨率5MHz與20MHz的參考頻率。而2.75375GHz的載波頻率在1MHz的相位噪聲偏移頻率為-120.3dBc。功率比時僅不到21mW。

標題:基于VCO的Time-domain Delta-Sigma ADCs
演講人:Xinpeng XING, Graduate School at Shenzhen, Tsinghua University
內容摘要:隨著CMOS技術的縮放,模擬和混合信號IC有限的電壓裕量和放大器的增益面臨著設計的挑戰。混合信號IC一種常用解決方案是通過應用VCO設計一種時域ADC。在這次講話中,我將首先談論的VCO型的量化結構,工作原理和權衡。在第二部分,我會介紹幾個ADC結構來減輕VCO電壓- 非線性頻率。在演講的最后部分是關于我們兩個VCO型的ADC設計與最先進的40nm CMOS FoMs。

WS4:高性能芯片與內部芯片的無線互聯的未來芯片:承諾與挑戰(半天)

主持人:Deukhyoun Heo, Washington State University
     Patrick Chiang, Oregon State University

能源效益已經成為下一代計算解決方案的主要問題。現代計算系統,從單芯片、多處理器系統級芯片(SoC)的設備到大型數據中心,越來越多地依賴于大量的處理單元實現增加計算性能,其結果是處理節點之間所消耗的能量急劇增加。本講座將介紹最新的研究進展,旨在提高這些通信系統的效率,無論是多核系統芯片的情況還是大規模數據中心。對于系統級芯片,增加的能源消耗很大程度上源于過遠的CPU內核之間平面金屬互連的限制。最近的研究已經證明硅集成在芯片及封裝天線在高頻下運行現在是一個可行的技術,盡管還存在著對高效率和寬帶性能諸多的挑戰。再加上無線收發器設計顯著的進步,這開辟了詳細調查芯片內無線互連以備將來的SoC的新機遇。在大型數據中心的范圍內,努力改善電互連的效率,針對云計算進行說明。此外,使用硅光子學的光學互連,操作在4×25Gbps的使用標準的CMOS工藝,已經出現作為實用和有希望的解決方案。本次研討會將對下一代計算系統設計高效節能的互連解決方案,并介紹其方法和面臨的挑戰。

演講簡介:

標題:高效節能芯片間通信的低功耗無線鏈路毫米波
演講人:Deukhyoun Heo
內容摘要:芯片內通信的有效性在很大程度上依賴于物理層的設計。物理層的兩個主要組成部分是微型化的片上天線和無線收發器。在本節中,我們的主要焦點將放在為高吞吐量片上的數據傳輸芯片的設計,高效,寬帶毫米(mm)1/2波無線收發器。為了證明這種應用的可行性,我們將展示適用于芯片內部毫米波收發器的電路設計。創建此應用高效節能的無線鏈路,收發電路必須具備一定的帶寬,同時消耗最低的功率。因此,我們將介紹架構和電路級的各種設計方法來降低收發機的功率消耗并延長其帶寬。我們將重點介紹我們如何設計低功耗和采用人體功能的寬帶收發器設計。而且,該收發器的必要組成部分調制器/解調器(調制解調器)和過濾器的設計也將被討論。此外,其他可能的物理層的特性,例如UWB, Sub-THz 和THz on-chip無線鏈路將被進行討論研究。

標題:極端能效
演講人:Patrick Chiang
內容摘要:極端能源效率是新一代計算的關鍵制約因素,例如在大規模數據中心。對于這些應用而言通過通信所消耗的能量大大超過了運算消耗的能量。這次演講將介紹我的研究小組在提高電氣互連云計算能效的最新進展。我還將討論采用CMOS 4×25Gbps的標準使用硅光子光學互連的最新進展。

標題:無線網絡芯片架構和芯片內的通信資源管理
演講人:Partha Pratim Pande
內容摘要:芯片上通信系統的設計的目標是盡可能有效地使傳輸數據具有低延遲和高吞吐量。在這部分教程,我們的目的是闡述通過補充片上的無線鏈路的新型結構設計有著怎樣優勢。首先,我們將介紹迄今提出的各種WiNoC架構的概述。在此之后,我們將介紹高帶寬和低功耗WiNoC架構怎樣結合微型世界體系結構的設計。我們將展示一個具有長距離無線快捷設計的分層架構,然后討論怎樣設計采用基于冪定律連接的WiNoC。我們將提出對WiNoCs微型世界和相對于它的基于網格的傳統對應,詳細的績效評估和必要的設計權衡。我們也將討論WiNoCs如何利用微型世界網絡固有的穩健性對抗無線鏈路的故障。我們將通過討論適合WiNoCs的散熱和電源管理來完成這部分的教程。通過使用WiNoC獲得所需的性能優勢,使可用的通信資源達到最佳的利用。高效的媒體訪問機制伴隨著最佳的路由方案對于關鍵無線信道的高效利用。在這一節中,我們討論WiNoCs用于迄今不同的媒體訪問控制(MAC)機制和路由協議。在WiNoCs中,使用一個合適的MAC機制的結合以維持可接受的性能水平是很重要的。所采用的MAC必須簡單,重量輕,不應該引入過度的區域和電源消耗。我們將討論各種適合的MAC,包括token passing, CDMA, FDMA,和time-hopping等設計。為了維持WiNoC的預測性能,無死鎖的路由算法必須被設計。路由協議也需要不產生過大的功率,面積和簡單的延遲。我們將通過迄今為止提出的WiNoCs各種無死鎖路由算法的介紹完成討論。

標題:用于芯片內外無線通信的高性能天線設計
演講人:Manos M. Tentzeris
內容摘要:這次演講將介紹微型芯片用于芯片內和外無線通信的天線。在本節中,我們的主要重點是芯片的設計。高效,微型的寬帶天線用于高吞吐量芯片上的數據傳輸。為滿足這些要求,芯片上天線必須是的寬帶的,高效的,和足夠小的。我們將討論平面折合偶極天線的各種幾何形狀的設計和超寬帶貼片天線,該天線可以很容易地與芯片無線收發器結合。如何使鄰近耦合激發方案有效地提供接近十年的帶寬和天線孔徑照明效率超過70-75%高達至少85千兆赫。利用銀納米顆粒的導電油墨在硅晶片上使用噴墨打印快速成型這個已經展示高達60GHz優異導電性的上述方案也將被討論。

WS5:5G蜂窩研討會(半天)

主持人:Corbett Rowell, Nazarbayev University

本次研討會將從5G蜂窩的產業發展角度來介紹該技術。5G將增加10倍以上的網絡容量,而只消耗相當于4G網絡的電流能量的一小部分。本次研討會提供了一個高層次視角,將系統和體系結構問題放在一起討論,實際執行5G技術與樣機研制,實際困難和測量技術。

演講簡介:

1、蜂窩挑戰與技術介紹和研討會概述:Corbett Rowell(納扎爾巴耶夫大學)
2、5G技術的研究:Eric Tsang(ASTRI)
3、標準化的測量與測試:Frank Wong (Rohde & Schwarz)
4、毫米波網絡混合波束:Han Shuang Feng(中國移動)
5、模的5GMIMO測試平臺:Tristan Martin (NuTaq)
 

WS6:創新101:顛覆性創新和解決復雜的問題(全天)

主持人:David S. Ricketts博士,Harvard University

本場研討會將介紹兩個創新的核心模塊和企業創新的學術科學家,工程師和管理人員。由在哈佛大學創新科學與工程教授課程的主持人講解。

內容摘要:

第一部分是對顛覆性的創新的講解:它是什么?它是怎樣的呢?而最重要的是,如何讓我們的公司創造顛覆性創新?介紹將包括保持和顛覆性的創新,以及它們如何適用于新興市場。然后,我們將介紹的確定和發展新機遇的過程。互動練習將讓參與者探索自己的具體市場。

第二部分介紹創造性的解決方案。雖然我們的技術團隊非常優秀,但有些問題似乎仍然難以解決。你怎么能解決這些傳統技術以外的問題?你怎么解決你的團隊從來沒有遇到過的問題?在這個會議上,我們將討論我們的頭腦是如何工作的,怎樣才能擁有創造性的解決方案。我們還將討論方法和實踐,提高創造性解決問題。參與者將完成幾個互動練習。

形式:

這個簡短的研討會假設為每個部分大約為100分鐘的兩部分講座。每個部分將包括講座之后的互動。累積講座時間約為60分鐘,與參會者的互動時間約為40分鐘。

主持人:

David S. Ricketts 教授從哈佛大學獲得博士學位。在過去的十年里,他與他的同事們曾在哈佛大學,工程和應用科學學院,科學和工程創新系任教。Ricketts博士是哈佛科技創業中心(TECH)首屆創新科學研究員,并教授了國際創新和創造力。他曾被卡內基- 梅隆大學,哈佛大學,麻省理工學院和北卡羅來納州立大學任命。加盟學術界后,Ricketts博士帶領綜合專家小組,花費了十年開發高速集成電路和功率管理電子先進產品。 

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