屏蔽技術(shù)可防止外部EMI／RFI對電路或系統(tǒng)的影響，但要正確應(yīng)用屏蔽技術(shù)，就必須清楚干擾源、環(huán)境、干擾源與被干擾對象之間的距離等問題。如果電路或系統(tǒng)靠近干擾源，電磁場特性取決于干擾源；如果電路遠(yuǎn)離干擾源，電磁場特性取決于傳輸介質(zhì)。當(dāng)電路與干擾源的距離小于λ／2π（λ為干擾信號波長）時(shí)，就認(rèn)為電路靠近干擾源，否則，認(rèn)為遠(yuǎn)離干擾源。

EMI／RFI對電路的影響與其特性阻抗有關(guān)，電磁場的特性阻抗（波阻抗）取決于電場和磁場之比。對于遠(yuǎn)電磁場，其電磁比率就是空氣的波阻抗（Z＝377Ω）；對于近電磁場，波阻抗取決于干擾的固有特性及距干擾源的距離，如果干擾是高電流低電壓，則磁場占主要地位，波阻抗小于377Ω，如果干擾是低電流高電壓，則電場起主要作用，波阻抗大于377Ω。通常采用封閉導(dǎo)體對電路進(jìn)行屏蔽，封閉導(dǎo)體對電路屏蔽的有效性取決于屏蔽材料表面對入射波的反射損耗和屏蔽體對內(nèi)部發(fā)射波的吸收損耗。對于電場，反射損耗取決于干擾頻率和屏蔽材料，即

適當(dāng)?shù)姆忾]屏蔽體對防止外部干擾和限制內(nèi)部干擾是很有效的，然而，在實(shí)際工程中，由于內(nèi)部電路中的調(diào)節(jié)旋紐、開關(guān)、連接器及通風(fēng)大呢感原因，經(jīng)常需要在屏蔽體上開設(shè)槽孔，這將削弱屏蔽性能，導(dǎo)致干擾進(jìn)入系統(tǒng)內(nèi)部。這種情況下的屏蔽效率為：屏蔽效率

式中λ為干擾信號的波長；L為槽孔的最大長度。

當(dāng)屏蔽體哂納感所開槽孔的最大長度等于干擾頻率波長的一半時(shí)，輻射最大，相當(dāng)于沒有屏蔽效果。為此，在屏蔽體上開設(shè)槽孔時(shí)，其最大長度要小于干擾信號波長的1／20，同時(shí)應(yīng)在多個(gè)面開設(shè)而不是在一個(gè)面開設(shè)槽孔。

8、結(jié)論

在日益復(fù)雜的電磁環(huán)境下，如何減小相互間的電磁干擾，使各種設(shè)備和系統(tǒng)能正常運(yùn)轉(zhuǎn)，是一個(gè)亟待解決的問題。在采用不同的方法對EMI／RFI精心抑制時(shí)，應(yīng)分析其綜合效應(yīng)，并對所采用的干擾抑制手段的作用進(jìn)行恰當(dāng)?shù)念A(yù)估，才能獲得較理想的效果。

作者：李貴山、楊建平、黃曉峰

9、參考文獻(xiàn)

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