毛片视频免费观看-毛片视频在线免费观看-毛片手机在线视频免费观看-毛片特级-中文亚洲字幕-中文一级片

GaN基微波半導體器件研究進展

2008-03-11 來源:互聯網 字號:

[ 8] Khan A, Chen M, Sun Q, et al. Two- dimensional Electron Gas in GaN-AlGaN Heterostructure Deposited Using Trimethylamine- alane as the Aluminum Source in Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition[ J] . Appl Phys Lett, 1995, 67( 10) : 1429- 1431.
[ 9] Khan M A, Kkuznia J N, Olson D T, et al. Microwave Performance of a 025 m Gate AlGaN/ GaN Heterostructure Field Effect Transistors[ J] . Appl Phys Lett, 1994, 65( 9) : 1121-1 123.
[ 10] Sullivam G J, Chen M Y, Higgin J A, et al. High- power 10GHz Operation of AlGaN HFETs on Insulating SiC[ J] . IEEE Electron Device Letters, 1998, 19( 6) : 198-200.
[ 11] Khan M A, Yang J W, Knap W, et al. GaN-AlGaN Heterostructure Field- effect Transistors Over Bulk GaN Substrates[ J] . Appl PhyLett, 2000, 76( 25) : 3 807- 3809.
[ 12] Jvarka P, Alam A, Fox A, et al. AlGaN/ GaN HETMs on Silicon Substrate with fT of 32/ 20GHz and f max of 27/ 22GHz for 05/ 0 7m Gate Length[ J] . Electronics Letters, 2002, 38( 6) : 288- 289.
[ 13] Burm J, Schaff W J, Eastman L F. 75 A GaN Channel Modulation Doped Field Effect Transistors[ J] . Appl Phy Lett, 1996, 68( 20) :2 849- 2 851.
[ 14] Binari S, Doverspilce K, Kelner G, et al. GaN FETs for Microwave and High- temperature Applications[ J] . Solid- State Electronics,1997, 41( 2) : 177- 180.
[ 15] 袁明文, 潘 靜 氮化鎵微波電子學的進展[ J] 半導體情報, 1999, 36( 3) : 1- 9.
[ 16] Khan M A, Kuznia J N, Bhattarai A R, et al. Metal Semiconductor Field Effect Transistor Based on Single Crystal GaN[ J] . Appl Phys Lett, 1993, 62( 15) : 1 786- 1787.
[ 17] 宋登元GaN 的某些關鍵工藝及其進展[ J]  半導體情報, 1997, 34( 4) : 31- 35.
[ 18] Fan Z, Mohammad S N. Low Resistance Ohmic Contact for Highly Doped n- type GaN Films[ J] . Appl Phys Lett, 1996, 68( 6) : 794-796.
[ 19] Cole M W, Ren F, Pearton S J. Post Growth Rapid Thermal Annealing of GaN: the Relationship Between Annealing Temperature, GaN Crystalquality, and Contac-t GaN Interfacial Structure[ J] . Appl Phys Lett, 1997, 71( 20) : 3004-3 006.
[ 20] Melane G E, Casas H, Deatron S J, et al. High Etch Rates of GaN with Magnetron Reactive Ion Etching BCl3 Plasmas[ J] . Appl Phys Lett, 1995, 66( 24) : 3 328- 3330.

作者:楊燕、郝躍、張進城、李培咸,西安電子科技大學微電子研究所

主題閱讀:微波半導體器件
主站蜘蛛池模板: 自拍一区在线 | 日日干日日操日日射 | 精品福利一区二区三区 | 精品国产网站 | 久久精品一区二区三区中文字幕 | 国产综合视频在线观看一区 | 国产三级精品三级在线专区91 | 算你色永久免费视频播放 | 日韩国产第一页 | 老子影院午夜伦不卡不四虎卡 | 巨黑巨粗巨硬巨大的黑吊 | 羞羞视频免费网站在线 | 91亚洲精品视频 | 国产一级视频在线 | 日韩欧美国产高清在线观看 | 亚洲激情区 | 天天久久狠狠色综合 | 日日摸夜夜欧美一区二区 | 欧美在线中文 | 亚洲五月婷 | 2017亚洲天堂 | 久久人成| 国产不卡免费视频 | 亚洲国产成人精品久久 | 久久久99精品免费观看精品 | 麻豆国内精品欧美在线 | www.青青青| 亚洲国内精品自在线影视 | 大伊香蕉精品视频在线天堂 | 精品日本一区二区三区在线观看 | 国产精品中文 | 欧美日韩色视频在线观看 | 亚洲性xx | 国产精品探花一区在线观看 | 欧美黑人成人免费全部 | 亚洲欧美精品一区 | 欧美粗又大 | 手机看片日韩 | 特黄特色大片免费视频大全 | 一级aaa毛片| 日韩特级片 |