本文描述了一種通用的集成電路RF噪聲抑制能力測(cè)量技術(shù)。RF抑制能力測(cè)試將電路板置于可控制的RF信號(hào)電平下，該RF電平代表電路工作時(shí)可能受到的干擾強(qiáng)度。這樣就產(chǎn)生了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化、結(jié)構(gòu)化的測(cè)試方法，使用這種方法能夠得到在質(zhì)量分析中可重復(fù)的有用結(jié)果。這樣的測(cè)試結(jié)果有助于IC選型，從而獲得最能夠抵抗RF噪聲的電路。

　　可以將被測(cè)件(DUT)靠近正在工作的蜂窩電話，以測(cè)試其RF敏感度，但是，為了得到一個(gè)精確的、具有可重復(fù)性的試驗(yàn)結(jié)果，需要采用一個(gè)固定的測(cè)量方法，在可重復(fù)的RF場(chǎng)內(nèi)測(cè)試DUT。解決方案是采用RF測(cè)試電波暗室，提供一個(gè)可精確控制的RF場(chǎng)，其相當(dāng)于典型移動(dòng)電話所產(chǎn)生的RF場(chǎng)。
　　下面，我們對(duì)Maxim的一款雙運(yùn)放(MAX4232)和一款競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品(X)進(jìn)行RF抑制能力比較測(cè)試。

　圖1：雙運(yùn)放的RF噪聲抑制能力測(cè)量電路(online)

圖2：RF噪聲抑制能力測(cè)量裝置

　　Maxim的RF測(cè)試裝置(圖2)產(chǎn)生RF抑制能力測(cè)試所需的RF場(chǎng)，測(cè)試電波暗室具有一個(gè)屏蔽室，作用與法拉第腔的屏蔽室類似，它具有連接電源和輸出監(jiān)視器的端口。把下面列舉的設(shè)備連接起來就可以組成測(cè)試裝置：

　　1. 信號(hào)發(fā)生器:9kHz至3.3GHz(羅德與施瓦茨公司SML-03)

　　2. RF功率放大器(PA):800MHz至1GHz, 20W(OPHIR 5124)

　　3. 功率計(jì):25MHz至1GHz(羅德與施瓦茨公司)

　　4. 平行線單元(電波暗室)

      5. 場(chǎng)強(qiáng)檢測(cè)儀

　　6. 計(jì)算機(jī)

　　7. 電壓表

　　信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生所需要頻率的RF調(diào)制信號(hào)，并將其饋送到功率放大器，通過一個(gè)與功率計(jì)連接的定向耦合器測(cè)量并監(jiān)視PA輸出。計(jì)算機(jī)通過控制信號(hào)發(fā)生器輸出的頻率范圍、調(diào)制類型、調(diào)制百分比、功放的功率輸出，建立所需要的RF場(chǎng)。電場(chǎng)通過天線(平面型)在屏蔽電波暗室內(nèi)輻射，經(jīng)過精確校準(zhǔn)，產(chǎn)生均勻的、一致的、可重復(fù)的電場(chǎng)。

　　典型蜂窩電話附近的RF場(chǎng)強(qiáng)近似為60V/m(距離手機(jī)天線4cm處)，遠(yuǎn)離手機(jī)后場(chǎng)強(qiáng)降低。在距離手機(jī)10cm處，場(chǎng)強(qiáng)降至25V/m。因此在電波暗室內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)均勻的60V/m場(chǎng)強(qiáng)，以模擬DUT所處的RF環(huán)境(60V/m的輻射強(qiáng)度可以保證被測(cè)器件不至于發(fā)生電平鉗位，避免測(cè)量誤差)。所采用的射頻信號(hào)是在800MHz至1GHz蜂窩電話頻率范圍內(nèi)變化的RF正弦波，使用1kHz的音頻頻率進(jìn)行調(diào)制，調(diào)制深度為100%。用217Hz頻率調(diào)制時(shí)可以得到相似的結(jié)果，但1kHz是更常用的音頻頻率，為便于*估，這里選擇了1kHz。通過電波暗室的接入端口為DUT提供電源，并通過接入端口連接電壓表，讀取dBV值(相對(duì)于1V的dB)。通過調(diào)整DUT在電波暗室內(nèi)的位置，并使用場(chǎng)強(qiáng)檢測(cè)儀可以精確校準(zhǔn)RF場(chǎng)。