在上世紀70 年代早期，磁控管首先在微波爐中進入了廣泛的商業(yè)應用，但整個射頻能量市場的發(fā)展相對還比較緩慢。如今，已經有了各種各樣的應用，包括在工業(yè)和消費的烹飪、干燥、照明、醫(yī)療和汽車等方面的射頻能量應用。

最近，就磁控管作為加熱源而言，固態(tài)器件的出現(xiàn)為之提供了一種可行的替代、提高技術，它具有幾個關鍵性的優(yōu)勢：更長的使用壽命、增強了可靠性、可精確控制射頻功率水平及其投射方向、提升了效率，以及具有更小的外形尺寸等優(yōu)點。

價格和效率抑制了增長

能量市場普遍預計在未來五年里將會增長到10 億美金，但到目前為止，由于固態(tài)器件技術的局限制性抑制了該市場的進一步擴張。

為了降低能源損耗，需要高效率、較少冷卻或功率耗散的熱量散發(fā)，這是在所有射頻能量應用設計中一個很重要的考慮因素。惡劣的工作環(huán)境以及加熱元器件對工作負載的不可預知性，使得對它的在耐用性上有著苛刻的要求，還有對其功率一致性和長期壽命的需求，成為了現(xiàn)有磁控技術的短板。

到目前為止，已能勉強接近該領域艱難成本目標的固態(tài)器件技術只有硅LDMOS器件。由于無線通訊基站的發(fā)展，LDMOS 器件技術已很好地建立了具有競爭力的成本結構和大批量的供應鏈。然而，其弱點是在于它的效率（僅僅大于10%）、耐用性（它只有較低的擊穿電壓和較低的工作溫度）和功率密度（只有GaN器件的1/4~1/6）上。

碳化硅襯底上GaN器件能夠滿足這些必要的性能要求，但無法達到必需的生產規(guī)模和成本，與傳統(tǒng)技術相比，其成本要高出5 到10倍，碳化硅襯底的加工成本即使在其進入大規(guī)模生產階段仍然會十分高昂。

然而，在新的一年中，當GaN器件從傳統(tǒng)的4 英寸化合物半導體工廠過渡到6 英寸和8 英寸硅晶圓廠進行生產時，硅上GaN器件就能開始突破制造成本的閾值，并向著由射頻能量聯(lián)盟（RF EnergyAlliance, RFEA）所設定的每瓦5 美分的最終目標前進。這意味著客戶最終可以與主流技術的發(fā)展同步，例如，MACOM公司已經能夠提供300W塑料封裝的硅上GaN器件，它有著大于70%的效率，售價約為15 美元，這一價格/性能水平已處于當今射頻能量器件領域的領先位置。