Qorvo 是全球領先的GaN RF 供應商，自1999 年起就一直在推動GaN 研究和創新，提供經過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產品。近幾年GaN 技術商用趨勢越發明顯，從下一代的國防和航天應用，到有線電視(CATV)、VSAT、點對點(PtP)、基站基礎設施，Qorvo GaN 產品和技術優勢盡顯。

為了驗證適用于毫米波FWA陣列的GaN FEM概念，Qorvo開發了新型GaN-on-SiC毫米波前端模塊，實現更高效強大的基站，同時為新興5G無線基礎設施奠定基礎。Qorvo的毫米波5G FEM關鍵優勢眾多，包括更小的外形尺寸，結合PA、LNA和開關，滿足相位陣列柵格間距的要求，同時雙通道能夠實現雙極化，提高放大器功率和效率，從而降低能量損耗，提高整體功率輸出，實現更高效的散熱，在28GHz和39GHz頻率實現5G。減少天線陣列所需組件數量，支持更高的相位陣列EIRP水平，采用更高效強大的基站技術，優化當前和未來無線基礎設施。

作為GaN-on-SiC技術的市場領導者，Qorvo從超過15年的研究，以及久經驗證的市場可靠性中吸取經驗，實現更高效的通信方式，協助連接和保護我們的世界。在國防和有線行業，GaN-on-SiC解決方案供應量全球第一！

此外，Qorvo GaN RF 產品可實現更小的尺寸并具備更高的可靠性，廣泛用于民用船舶、航空和基礎設施雷達系統中。

美國國防部用MRL 來衡量供應商把產品順利地從工廠轉移到現場的能力，涉及運營成熟度、技術發展水平以及質量和制造管理。Qorvo 是達到制造成熟度（MRL）9 級的首家GaN 供應商。Qorvo一直推動GaN產品的下一代系統創新(從直流到Ka頻段)，提供可靠的性能、低維護和長運行壽命。

Qorvo 的所有GaN 產品在200°C 條件下的平均無故障時間（MTTF）均超過107小時，還是能承受高加速應力測試（HAST）的器件。此項測試在105°C、85% 相對濕度且大氣壓不超過4 atm 的條件下對器件性能進行96 小時的測量。