據(jù)國外媒體報道，市場知名研究機構ABIResearch指出，無線基礎設施射頻功率半導體市場支出2013年實現(xiàn)又一飛躍。受全球經(jīng)濟形勢和政治因素影響，其他市場的增長有所放緩，但某些次級市場表現(xiàn)出不錯的上升潛力。

此外，ABIResearch還在一項最新研究中指出，長期以來被視為射頻功率半導體極有前途的新型“材料選擇”——氮化鎵正在擴大其市場份額，特別是在無線基礎設施領域。

ABIResearch主管蘭斯·威爾遜（LanceWilson）表示：“氮化鎵（GaN）2014年的市場份額不斷增加，預計將在2019年成為一股重要力量。它填補了兩種較早期技術之間的差距，展現(xiàn)出砷化鎵的高頻性能，并結合了硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物晶體管）的功率處理能力。現(xiàn)在，它已經(jīng)成為一種主流技術，市場占有率不斷增加，并有望在未來成為市場的一個重要構成部分。”

在射頻功率半導體業(yè)務中，除無線基礎設施之外，表現(xiàn)最為強勁的垂直市場是防御領域。威爾遜稱，總體而言，目前這是“一個非常重要的市場”。

盡管有關防御型電子硬件的報道并不樂觀，但這部分市場2013年的實際表現(xiàn)要好于此前外界對一些細分市場的預期。