報告指出，自20 年前首款商用產(chǎn)品問世以來，GaN 技術(shù)已成為LDMOS 和GaAs 在RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在4G LTE 電信基礎(chǔ)設(shè)施市場的滲透力，預(yù)計GaN on SiC 將在5G Sub-6Hz RRH 中保持強(qiáng)大的地位。

而在新興的5G Sub-6Ghz AAS（Active Antenna Systems），大規(guī)模多輸入多輸出（MIMO）部署領(lǐng)域中，GaN 與LDMOS 之間的競爭仍在繼續(xù)。盡管具有成本效益的LDMOS 技術(shù)在Sub-6GHz 頻段的高頻性能方面取得了顯著進(jìn)步，但GaN on SiC 卻具有出色的帶寬、PAE 和功率輸出。

來到具體的市場狀況。首先看電信基礎(chǔ)設(shè)施方面，據(jù)Yole 的報告，GaN 射頻在這個領(lǐng)域的部署將長期保持不變。而在AAS中，帶寬的增加將有利于推動GaN RF 的需求。此外，在未來幾年中，小型蜂窩(small cells)和回傳連接(backhaul connections)將看到GaN 的驚人部署。

其次看一下軍事應(yīng)用領(lǐng)域，隨著政府的投資以取代基于TWT（Travelling Wave Tube）的系統(tǒng)來改善國家安全，國防仍將是GaN RF 市場的主要推動力之一。雷達(dá)是軍事應(yīng)用的主要推動力，這主要是由于基于GaN 的新型AESA（Active Electronically Scanned Array）系統(tǒng)中的T/R 模塊的增加以及對機(jī)載系統(tǒng)輕型設(shè)備的嚴(yán)格要求。

報告指出，到2025 年，整個GaN RF 軍事市場將超過11 億美元，復(fù)合年增長率為22％。

而對于大家關(guān)注的GaN 應(yīng)用于手機(jī)，Yole 表示，GaN 的高性能和小尺寸可能吸引了OEM 廠商的興趣。但GaN PA 何時能被手機(jī)廠商采用，將取決于GaN 未來五年的技術(shù)成熟度，供應(yīng)鏈、成本以及OEM 的決定。

作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 在GaN 方面也有領(lǐng)先的優(yōu)勢。在之前的財報會議上，Qorvo 方面指出，為滿足5G 高頻率需求，公司將協(xié)助基站制造商向氮化鎵（GaN）功率放大器轉(zhuǎn)變，積極部署宏基站和大規(guī)模MIMO 網(wǎng)絡(luò)，助推全球5G 基礎(chǔ)設(shè)施部署。預(yù)計未來功率放大器的大半市場將轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），并且這一趨勢也會加速推進(jìn)。

Qorvo FAE 經(jīng)理荀穎在今年六月份的演講中也強(qiáng)調(diào)。在5G 用例的推動下，除了宏基站，市場也對小基站有了更多的需求。伴隨而來的是推動這些基站從頻率、帶寬以及效率等多方面提高。“對于運(yùn)營商來說，就希望在5G 基站方面找到一個運(yùn)營成本，資本支出、可靠性和吞吐率等多個方面都是最優(yōu)的解決方案，而擁有低功耗、高功率密度和長壽命等優(yōu)勢的氮化鎵就成為了開發(fā)者們的選擇”。荀穎說。

針對現(xiàn)在硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵兩種不同的方面，Qorvo 指出，碳化硅基氮化鎵在熱耗和可靠性方面的表現(xiàn)都優(yōu)于硅基氮化鎵，為此Qorvo 選擇了碳化硅基氮化鎵為公司在這個領(lǐng)域的主要發(fā)展方向。

Qorvo 能夠提供從90nm 到0.5um 的GaN 制造工藝，此外還能能夠生產(chǎn)砷化鎵HBT 和pHEMT，這些產(chǎn)品加上Qorvo在砷化鎵BAW、SAW、TC-BAW 和TC-SAW以及RF CMOS 和SOI 開關(guān)方面的布局。讓Qorvo 有能力給客戶大規(guī)模提供符合經(jīng)濟(jì)要求的器件。