高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）宣布，RFMD® 已通過并生產 RF3932，這種無與倫比的 75 瓦特高效率氮化鎵 (GaN) 射頻功率晶體管 (UPT) 比砷化鎵和硅工藝技術的性能更出色。
RF3932 是繼最近 140 瓦特 RF3934 推出之后的續推產品，RF3934是 RFMD 的 UPT 系列中輸出功率最高的器件。 RFMD 計劃在 2010 年第一季度推出第三個氮化鎵 UPT 器件，以擴大其氮化鎵功率晶體管系列，為 RFMD 客戶提供更多的選擇。
RFMD 無與倫比的氮化鎵功率晶體管支持“綠色”架構，可降低能源消耗，提高網絡運營商的熱能管理和網絡效率。 RF3932 的工作頻率極為廣泛（直流到 3GHz），可提供超過 65% 的高峰值效率。 而且，RF3932 整合了原本封裝在外部的簡單、經優化的匹配網絡，在單個放大器中提供寬帶增益和功率性能優勢。 RF3932 采用兩端含鉛的密閉陶瓷法蘭封裝，利用 RFMD 先進的散熱和功耗技術提供卓越的熱穩定性和傳導性。 根據整體的功率要求，75 瓦特的 RF3932 和 140 瓦特的 RF3934是驅動器及/或輸出階段的最佳選擇。
RFMD 多市場產品部 (MPG) 總裁 Bob Van Buskirk 說：“RFMD 非常高興能夠擴展我們基于氮化鎵的產品系列，為各種終端市場提供行業領先的功率性能。 RFMD 的氮化鎵產品系列明確地反映出我們追求技術和產品領導地位的承諾，我們希望引進更多具有出色的功率密度、高效率、高可靠性和“綠色”能耗優勢的氮化鎵產品。”
RFMD 的 48 伏高功率密度氮化鎵半導體工藝具有高射頻功率密度和效率、低電容和高熱能傳導性。這些特點使精密高效的高功率放大器 (HPAs) 得到發展及廣泛應用，這些應用包括私人移動無線通信 (PMR)、3G/4G 無線基礎設施、ISM（工業、科學和醫療）、軍事和民用雷達以及 CATV 傳輸網絡。
RFMD 將在 11 月 9 日至 11 月 12 日于德國慕尼黑舉行的 Electronica 2010 展會上展出多款業界領先的射頻組件產品。您可前往 RFMD 展位 (#A4.136) 索取產品手冊，也可登錄 RFMD 網站 www.rfmd.com 或撥打 RFMD 電話 336-664-1233 索取數據手冊。
供貨情況
目前，RF3932 可提供樣品，并已實現量產。
關于 RFMD
RF Micro Devices（NASDAQ GS 代碼：RFMD）堪稱在高性能半導體元件的設計與制造方面的全球領先廠商之一。 RFMD 的產品可實現全球移動性，提供更高的連接能力，以及支持蜂窩手機、無線基礎設施、無線局域網 (WLAN)、有線電視網絡/寬帶、航空及國防市場中的高級功能。 RFMD 因其多樣化的半導體技術以及RF 系統專業技能而得到業界的認可，并且是受全球領先移動設備、客戶端設備及通訊設備制造商所青睞的供應商。
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