TriQuint推出卓越新產(chǎn)品和代工服務(wù) 加速氮化鎵的供應(yīng)速度
TriQuint半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：TQNT），今天發(fā)布了15款新型氮化鎵（GaN）放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。
TriQuint公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品解決方案的發(fā)展, 使得射頻制造商更容易獲取氮化鎵的性能和優(yōu)勢(shì)。熊挺表示：“此項(xiàng)新發(fā)布也顯示TriQuint加速了其創(chuàng)新的步伐。除了三套由包裝、裝配及測(cè)試服務(wù)支持的氮化鎵工藝外，客戶還能獲取更多其它世界一流的產(chǎn)品。TriQuint全面解決最苛刻的射頻要求，能夠靈活地支持所有的客戶。”
著名的研究機(jī)構(gòu)Strategy Analytics預(yù)見了氮化鎵這種極具意義的增長(zhǎng)。半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部總監(jiān)Eric Higham說：“雖然國(guó)防領(lǐng)域是氮化鎵最大的營(yíng)收來源，但氮化鎵在基礎(chǔ)構(gòu)架正迅速地發(fā)展壯大。通訊衛(wèi)星（Sat-Com）、功率和有線電視（CATV）也大大飆升了氮化鎵的營(yíng)收。Strategy Analytics預(yù)測(cè)到2015年，氮化鎵微電子裝置的市場(chǎng)將以超過34%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAAGR）增長(zhǎng)大約至1.86億美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工藝中補(bǔ)充了一個(gè)高壓變體--TQGaN25HV。此新的制造工藝延伸了0.25微米氮化鎵的漏極操作電壓至48V，同時(shí)為DC-10 GHz應(yīng)用提供更高的擊穿電壓、更強(qiáng)的功率密度和高增益。這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)更堅(jiān)固的設(shè)備，可承受可能會(huì)破壞其他電路的電壓駐波比（VSWR）的不匹配，同時(shí)提供更多的射頻輸出功率。TriQuint的新產(chǎn)品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工藝，該款新產(chǎn)品是一個(gè)適用于基礎(chǔ)構(gòu)架的120W功率封裝晶體管，體積比類似的LDMOS裝置小了將近三分之二。其他以TQGaN25HV構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工藝將氮化鎵技術(shù)推向了新的極限。該工藝將氮化鎵的頻率范圍擴(kuò)大至了40 GHz，同時(shí)提供高功率密度和低噪聲性能。此0.15微米的氮化鎵-碳化硅（SiC）工藝用于制成TriQuint新型的TGA2594（5W）和TGA2595（10W）Ka波段的VSAT地面終端放大器。它們有高達(dá)35％的功率附加效率（PAE），體積與相對(duì)的砷化鎵（GaAs）解決方案也小了三倍。其他以TQGaN15構(gòu)建的產(chǎn)品現(xiàn)也已提供。
TriQuint全新氮化鎵解決方案的產(chǎn)品組合還包括了突破性的TAT9988，一個(gè)可用于有線電視和光纖到戶光學(xué)網(wǎng)絡(luò)的直接接入電路板式單片式微波集成電路（MMIC）放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工藝制成，在增益、復(fù)合失真性能和表面安裝便利性上都處于行業(yè)領(lǐng)先地位。
產(chǎn)品解決方案技術(shù)參數(shù)：
放大器
| 產(chǎn)品類型 | 頻率范圍(GHz) | 飽和功率(W) | P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) | 增益(dB) | NF / PAE (dB) / (%) | 電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝 方式 |
型號(hào) |
| GaN S-Band PA | 3 - 3.5 | 80 | (49) / -- | 22 | – / 55 | 28 / 125 | Die | TGA2814 |
| GaN S-Band PA | 3 - 3.5 | 100 | (50) /-- | 22 | – / 55 | 28 / 150 | Die | TGA2813 |
| GaN C/X-Band HPA | 6 - 12 | 30 | (45) / – | 30 | – / 30 | 25 / 1100 | Die | TGA2590 |
| GaN X-Band PA | 9 - 10 | 20 | (43) / -- | 25 | – / 50 | 25 / 150 | Die | TGA2624 |
| GaN X-Band PA | 9 - 10 | 30 | (45) / -- | 25 | – / 45 | 25 / 250 | Die | TGA2622 |
| GaN X-Band PA | 9 - 10 | 60 | (48) / -- | 10 | – / 35 | 24 / 2400 | Die | TGA2312-FL |
| GaN X-Band PA | 10 - 11 | 30 | (45) / -- | 25 | – / 45 | 25 / 250 | Die | TGA2623 |
| GaN X-Band PA | 10 - 11 | 16 | (42) / -- | 25 | – / 45 | 25 / 150 | Die | TGA2625 |
| GaN Ka-Band PA | 27 - 31 | 5 | (37) / -- | 19 | – / 30 | 20 / 280 | Die | TGA2594 |
| GaN Ka-Band PA | 27 - 31 | 10 | (40) / -- | 17 | – / 25 | 20 / 560 | Die | TGA2595 |
驅(qū)動(dòng)放大器
| 產(chǎn)品類型 | 頻率范圍(GHz) | 飽和功率(W) | P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) | 增益(dB) | NF / PAE (dB) / (%) | 電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝方式 | 型號(hào) |
| GaN 2W Driver PA | 2 - 6 | 2 | 33 / -- | 23 | -- / 30 | 25 / 170 | Die | TGA2597 |
低噪聲放大器
| 產(chǎn)品類型 | 頻率范圍 (GHz) |
P1dB / IIP3 (dBm) | 增益(dB) | NF (dB) |
電壓/ 電流 (V / mA) |
封裝方式 | 型號(hào) |
| GaN LNA | 2 - 6 | 25 | 25 | 1 | 10 / 100 | Die | TGA2611 |
| GaN LNA | 6 - 12 | 25 | 25 | 1.5 | 10 / 100 | Die | TGA2612 |
離散式射頻功率晶體管
| 產(chǎn)品類型 | 頻率范圍 GHz) |
P1dB (Psat) (dBm) |
增益(dB) | DE (%) |
電壓/電流 (V / mA) |
封裝方式 | 型號(hào) |
| GaN 120W: EAR99 | DC - 3.5 | 120 | 13 | 52 | 36 / 360 | Ceramic | T1G4012036-FS / -FL |
| GaN 10W: EAR99 | DC - 6 | 40 | 16 | 53 | 32 / 50 | 5x5 QFN | T1G6001032-SM |
關(guān)于TriQuint
成立于1985年的TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT）是為全球頂尖通信、國(guó)防和航空航天公司提供創(chuàng)新射頻解決方案與代工服務(wù)的全球領(lǐng)先企業(yè)。全世界的人們和組織都需要實(shí)時(shí)、不間斷的通信聯(lián)系；TriQuint的產(chǎn)品可幫助降低用于提供關(guān)鍵語(yǔ)音、數(shù)據(jù)和視頻通信的互聯(lián)移動(dòng)設(shè)備與網(wǎng)絡(luò)的成本和提高它們的性能。憑借業(yè)內(nèi)最廣泛的技術(shù)系列、公認(rèn)的研發(fā)領(lǐng)先地位以及在大規(guī)模制造領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)，TriQuint生產(chǎn)基于砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、聲表面波(SAW) 和體聲波（BAW）技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)及定制產(chǎn)品。該公司在美國(guó)擁有多家已通過ISO9001認(rèn)證的制造工廠，在哥斯達(dá)黎加擁有生產(chǎn)中心，在北美地區(qū)和德國(guó)擁有設(shè)計(jì)中心。
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