氮化鎵（eGaN®）功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發板。這些由30 V至200 V的產品在很多應用可大大降低導通電阻（R_DS(on)）并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點（POL）轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。

全新氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及相關開發板

· 更低導通電阻(R_DS(on))

由于全新氮化鎵場效應晶體管系列可降低一半導通電阻，因此可支持大電流、高功率密度應用。

· 進一步改善品質因數（FOM）

與前代器件相比，由于最新一代氮化鎵場效應晶體管把硬開關FOM降低一半，因此在高頻功率轉換應用可進一步提高開關性能。

· 擴展電壓范圍

由于可受惠于采用氮化鎵場效應晶體管的應用擴展至30 V的應用，因此可支持更多應用包括更高功率的直流-直流轉換器、負載點轉換器以及隔離型電源供電、電腦及伺服器內的同步整流器。

· 更優越的熱性能

由于全新第四代氮化鎵場效應晶體管產品系列在溫度方面具增強了的性能并配備更優越的晶片版圖，因此改善了其熱性能及電學性能，使得氮化鎵器件在任何條件下可在更高功率工作。

展示結果表明氮化鎵器件可實現更高電源轉換效率

為了展示這些全新氮化鎵場效應晶體管的更高性能，我們構置了兩個降壓轉換器。在一個12 V轉1.2 V 的直流－直流負載點轉換器，EPC9018開發板 采用了30V的EPC2023 場效應晶體管（用作同步整流器）及40 V 的EPC2015(用作控制開關)。

這個12 V轉1.2 V 、40 A的負載點轉換器工作在1 MHz的開關頻率下，與先進硅MOSFET模塊相比，采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉換器可實現超過91.5%的效率并展示了氮化鎵器件在電路中的優越性能。

EPC9019開發板是一個48 V轉12 V 的轉換器并采用了80 V的 EPC2021 氮化鎵場效應晶體管 （用作同步整流器開關）及100 V 的EPC2001 氮化鎵場效應晶體管(用作控制開關)。這個48 V轉12 V 、40 A非隔離型直流－直流中間總線轉換器工作在300 KHz的開關頻率，與采用先進硅MOSFET器件的等效轉換器相比，采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉換器可實現超過98%的效率。

開發板

為了簡化對全新高性能氮化鎵場效應晶體管進行評估，我們推出開發板以支持客戶在電路中對每一種全新產品易于進行評估（請參看以上列表）。這些開發板在單板上已包含所有重要元件并易于與任何目前的轉換器連接。

EPC9014 、EPC9031 至EPC9034的所有開發板都是半橋配置并帶板載柵極驅動器及采用氮化鎵場效應晶體管。　所有開發板的尺寸為2英寸x 1.5英寸，含兩個氮化鎵場效應晶體管、使用德州儀器公司的柵極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。　每一塊板已配備所有重要元件及版圖，可實現最優開關性能。

我們也提供EPC9018 及EPC9019開發板，使得工程師易于在電路中對氮化鎵場效應晶體管的性能進行評估。

價格及供貨

產品

EPC2019至EPC2024的各個功率晶體管在一千批量時的單價為3.14美元，可立即通過Digi-Key公司訂購。

開發板

各塊相關的開關板的單價為104.4美元起，可立即通過Digi-Key公司訂購。

宜普電源轉換公司簡介

宜普公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括 直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 包絡跟蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音頻放大器 等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。