英飛凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出碳化硅基（SiC）氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管。該產品協助移動基站打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器，支持蜂窩網絡。此外，由于具備更高的數據傳輸量，強化用戶經驗，為5G技術的轉型鋪路。

英飛凌射頻功率晶體管產品線副總裁兼總經理Gerhard Wolf 表示，“新產品系列結合了創新與蜂窩基礎架構需求的應用知識，為全球客戶提供新一代的射頻功率晶體管。它們不僅大幅提高作業性能，并減小移動基站發射器端的體積。此外，隨著轉換至寬能隙半導體技術，讓我們引領著蜂窩基礎架構的持續演進。”

新射頻功率晶體管運用氮化鎵技術的性能，比現今常見的LDMOS晶體管效率提升百分之十，功率密度更達五倍。這意味著當前所使用基站發射器(操作頻率范圍在1.8GHz～2.2GHz或2.3GHz～2.7GHz)的功率放大器在同樣的功率需求下只需更小的體積。未來碳化硅基氮化鎵產品也將支持頻率范圍高達6GHz的5G移動頻段。