宜普電源轉換公司（EPC）的全新開發板幫助功率系統設計師容易并且快速地對應用于E類放大器拓撲、電流模式D類放大器拓撲及push-pull 轉換器的200 V氮化鎵晶體管進行評估，其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開發板，可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵晶體管的優越性能進行評估，使得他們的產品可以快速量產。

這些開發板專為諸如無線充電、采用E類放大器的應用而設，而且也可以支持采用低側開關的應用，例如push-pull轉換器、采用電流模式的D類放大器、共源雙向開關及諸如LiDAR應用的通用高壓短脈寬應用。

這些開發板內含具有200 V額定電壓的氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）。這些放大器被設計為工作在差分模式，也可以再被配置而可以工作在單端模式，而且包含柵極驅動器及邏輯電源穩壓器。

這三塊開發板有共同的參數選擇及規范，其工作負載條件包括配置可以決定最優的負載電壓及電阻。以下的表格

展示出每一塊開發板的各個器件參數。

產品價格及供貨詳情

EPC9052、9053及9054開發板的單價為158.13美元，所有產品可以從北高智科技公司或Digikey公司購買

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管，其目標應用包括 直流-直流轉換器、無線電源傳送、包絡跟蹤、射頻傳送、功率逆變器、光學遙感技術（LiDAR）及D類音頻放大器等應用，器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。