在國家持續加大對集成電路產業扶持力度的背景下，我國芯片設計行業呈現快速發展態勢。由黃風義博士創辦的愛斯泰克（上海）高頻通訊技術有限公司近日發布三款芯片，顯示本土企業在射頻收發系統集成電路芯片（RF SoC）設計開發方面取得重要進展。

據了解，三款自主設計并開發的核心芯片涵蓋寬頻帶、可重構及高寬帶等芯片，主要瞄準中高端應用的射頻芯片市場，可廣泛應用于第五代移動通訊（5G）、超高速無線物聯網、射頻傳感器、衛星通信以及特種專用高寬帶通信、導航、雷達等系統。

其中兩款芯片以及場效應晶體管射頻模型技術，于今年4月經北京大學、中科院、中國電子科技集團有限公司等單位專家組成的專家組進行技術鑒定，顯示“成果達到國際先進水平”。其中的一款芯片近20項綜合性能指標測試結果與國際產品及文獻發表結果相比，5項指標接近國際一流水平，7項關鍵指標達到國際一流水平，7項關鍵指標優于國際上已報道的最好水平。

據了解，此前黃風義團隊已在射頻芯片元件模型領域取得突破性進展。2006年，其針對電感等元件開創特征函數法用于電感模型參數提取和結構優化，研究成果發表在國際集成電路領域權威期刊《固態電路雜志》（IEEE JSSC）及微電子領域權威期刊《電子器件快報》（IEEE EDL），并被中文核心期刊《科技導報》評選為2006年度“中國重大科學進展”。

在集成電路芯片應用最廣泛的場效應晶體管模型方面，黃風義團隊歷經10多年研究探索，于2016年底在深亞微米、超高速晶體管的射頻模型結構中發現了新的溝道效應，突破了被國際產業界沿用30多年的核心溝道單元。此項成果發表在《電子器件快報》。

作為信息產業的基礎，集成電路芯片技術處于當今國際高科技領域前沿。中國是全球最大芯片市場，但在相關領域起步較晚，絕大多數芯片仍依賴進口。海關總署統計顯示，2016年、2017年我國集成電路芯片進口總額均超過1萬億元人民幣，高于同期原油進口額。

針對這一狀況，2014年發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》提出，到2020年集成電路產業與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業銷售收入年均增速超過20％，企業可持續發展能力大幅增強。移動智能終端、網絡通信、云計算、物聯網、大數據等重點領域的集成電路設計技術達到國際領先水平，產業生態體系初步形成。

在相關政策的扶持下，我國芯片產業快速成長，設計開發環節進步尤其顯著。半導體行業協會數據顯示，2017年我國集成電路產業總銷售額為5411億元，其中設計業占比達到38％。

以上述愛斯泰克項目為例，相關技術和產品的成功研發，表明在高端射頻集成電路芯片設計及射頻元件模型兩大領域，我國部分前沿技術開發已接近國際先進水平。業界評價認為，移動通訊、雷達等射頻集成電路芯片實現自主化，可助力我國通信產業加快升級，推動5G布局步伐。