圖3是村田制作所STD-SAW以及TC-SAW構(gòu)造的示意圖。SAW雙工器的頻率溫度依賴性是由于使用了壓電電路板造成的。此外，STD-SAW、TC-SAW都是因?yàn)槭褂玫膲弘婋娐钒寰哂蓄l率溫度依賴性的相同特點(diǎn)。如圖3所示，TC-SAW最具代表性的特征之一是整塊電路板跟STD-SAW相比它的表面覆蓋了一層很厚的二氧化硅（SiO2）。壓電電路板的溫度上升的話頻率就會(huì)降低，那么頻率溫度系數(shù)就會(huì)變成負(fù)值。另外，SiO2具備正頻率溫度系數(shù)的特點(diǎn)。因此，和STD-SAW相比的話由于覆蓋了一層厚SiO2的獨(dú)特構(gòu)造，SiO2的正頻率溫度系數(shù)的影響會(huì)變大，那么SAW雙工器與STD-SAW相比就實(shí)現(xiàn)了抑制頻率溫度依賴性的特點(diǎn)。STD-SAW的保護(hù)膜SiO2具有強(qiáng)大的特質(zhì)，如果覆蓋了像TC-SAW一樣厚的SiO2的話就不能保證帶寬，同時(shí)也不能獲得優(yōu)良的特性。因此，TC-SAW將電路板的材料從LiTaO3變成了LiNbaO3，才能夠確保必要的帶寬。此外，TC-SAW的LiNbaO3的切割角發(fā)生了變化使得頻率選擇性變得可控制，村田制作所運(yùn)用了對(duì)應(yīng)項(xiàng)目的必要特性設(shè)計(jì)了符合市場(chǎng)需求的最佳切割角。

圖3、村田制作所STD-SAW以及TC-SAW的構(gòu)造比較

村田制作所的TC-SAW產(chǎn)品陣容

雙工器的設(shè)計(jì)根據(jù)Third Generation Partnership Project（3GPP）的規(guī)格根據(jù)頻帶的送信和收信帶寬以及送信端和收信端的頻率間隔（Separation ratio）決定了其難易度。一般來說頻率的帶寬越廣那么送信端和收信端的頻率間隔越小難易度就越高。總結(jié)兩者的關(guān)系來看，如圖4。村田制作所正致力于圖4中圈出的部分，計(jì)劃優(yōu)先實(shí)現(xiàn)TC-SAW對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品。

圖4、頻帶其他帶寬以及頻率間隔的關(guān)系

目前為止介紹的TC-SAW相關(guān)的產(chǎn)品實(shí)際上是目前主流的2.0×1.6mm（2016）尺寸的產(chǎn)品陣容以及今后將要成為主流的1.8×1.4mm（1814）尺寸的產(chǎn)品陣容，如表1所示。這些產(chǎn)品已經(jīng)開始量產(chǎn)并且不久后將向市場(chǎng)供應(yīng)，由于已經(jīng)得到了顧客的良好反饋，預(yù)計(jì)今后還將根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行擴(kuò)大。

表1、產(chǎn)品一覽表（計(jì)劃）

今后的展望

村田制作所的TC-SAW的歷史由來已久，從2004年的Band2產(chǎn)品化開始，就已經(jīng)將很多項(xiàng)目產(chǎn)品化。同時(shí)隨著構(gòu)造的變化以及應(yīng)用的改善不斷滿足市場(chǎng)對(duì)于小型化和高性能化的需求。今后隨著RF電路的高密度化趨勢(shì)對(duì)TC-SAW的期望將會(huì)更高。在此之間，村田制作所還將繼續(xù)擴(kuò)充運(yùn)用了此次介紹的技術(shù)的產(chǎn)品陣容并且繼續(xù)開發(fā)全新的、改進(jìn)的TC-SAW產(chǎn)品。另外，為了對(duì)應(yīng)RF電路的模塊化趨勢(shì)，預(yù)計(jì)還將擴(kuò)大面向模塊的產(chǎn)品陣容。